蒋嗣韬
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管
- 本发明公开了一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管。基于量子力学非平衡Green函数理论框架，在开放边界条件下，通过自洽求解三维泊松（3D-Poisson）和薛定谔（Schr?dinger）方程，构建了适用于...
- 王伟杨恒新蒋嗣韬陆峰
- 文献传递
- 基于Graphene条带的纳米结构电学传输性质研究
- 由单层碳原子平面构成的石墨烯具有十分稳定的晶体结构和优异的电化学特性，其具有室温下高达15000cm~2//Vs的电子迁移率和线性的能量色散关系，以及高导热率和良好的柔韧性，因此被认为是构建未来纳电子器件中最具潜力的材料...
- 蒋嗣韬
- 关键词：非平衡格林函数
- 文献传递
- 非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文)被引量：2
- 2013年
- 随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器件中SCE和DIBL,改善器件性能。并采用一种量子力学模型研究GNRFET的电学特性,该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了GNRFET的电学特性和器件结构尺寸效应,通过与采用其他掺杂结构的GNRFET的电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯纳米条带场效应管具有更低的泄漏电流。
- 蒋嗣韬肖广然王伟
- 关键词：场效应管非平衡格林函数
- 基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究
- 2013年
- 基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)的电学特性。通过与采用其他掺杂策略的GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移,表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力,能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。
- 蒋嗣韬肖广然王伟
- 关键词：非平衡格林函数
