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文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇整流
  • 3篇功率等级
  • 3篇变换器
  • 2篇电路
  • 2篇电压应力
  • 2篇电源
  • 2篇整流管
  • 2篇通讯电源
  • 2篇箝位
  • 2篇箝位电路
  • 2篇反向恢复
  • 2篇AC/DC
  • 2篇AC/DC变...
  • 1篇电流
  • 1篇电容
  • 1篇电压
  • 1篇电压变换
  • 1篇电压变换器
  • 1篇调制波
  • 1篇整流电路

机构

  • 7篇艾默生网络能...

作者

  • 7篇黄立巍
  • 5篇武志贤
  • 4篇黄庆义
  • 4篇胡永辉
  • 3篇弗兰克·赫尔...
  • 3篇吴云
  • 2篇李祥生
  • 1篇许峰
  • 1篇周朝阳
  • 1篇是亚明
  • 1篇许峰
  • 1篇郭莎莎

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2012
  • 3篇2010
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种图腾无桥PFC电路的控制方法、装置和整流电路
本发明实施例提供了一种图腾无桥PFC电路的控制方法、装置和整流电路,用以解决采用由普通PFC电路演变而来的无桥PFC电路的控制方法生成的驱动信号,不能直接用来控制图腾无桥PFC电路的问题。该方法包括:根据图腾无桥PFC电...
李祥生黄立巍是亚明许峰
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一种电压变换器
本发明公开了一种电压变换器,包括两个或三个变换器模块、输入端连接模块和输出端连接模块;各个变换器模块均有两个输入端和两个输出端;输入端连接模块设有输入端和输出端,输入端和输出端之间可导通,输入端的个数为变换器模块数量的一...
弗兰克·赫尔特胡永辉武志贤吴云黄庆义黄立巍周朝阳
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600 V GaN HEMT开关特性和封装研究被引量:1
2012年
分析讨论了共源共栅级联结构GaN晶体管的工作机理,研究了影响开关速度的主要因素,提出了驱动电路的设计方法。分析了级联GaN HEMT反向恢复电荷的产生和影响因素,并与SiC二极管进行比较。通过器件开关特性测试平台,分别将级联GaN HEMT与CoolMOS进行开关特性对比分析,与SiC二极管进行反向恢复特性对比分析,定量比较了GaN HEMT与CoolMOS和SiC二极管在无桥PFC中的性能。分析验证了器件封装技术对GaN开关性能的影响,指出了高速器件封装技术的发展方向。
李祥生黄立巍郭莎莎许峰
关键词:晶体管开关特性反向恢复封装
一种无桥PFC升压整流器
一种无桥PFC升压整流器,包括整流桥、储能电感和滤波电容,整流桥左上桥臂是一MOSFET双向开关,右下桥臂是一MOSFET管,左下桥臂与右上桥臂分别是一MOSFET双向开关和一MOSFET管,或者分别是一MOSFET管和...
胡永辉黄立巍黄庆义弗兰克.赫尔特武志贤
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一种AC/DC变换器
一种AC/DC变换器,包括前级的PFC电路和后级的DC/DC变换器,特征是PFC电路是带中点箝位的PFC电路,DC/DC变换器是带同步整流的LLC变换器。本发明具有AC/DC功能,实现输入的PFC功能,使输入电流跟随输入...
弗兰克·赫尔特胡永辉武志贤吴云黄庆义黄立巍
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一种AC/DC变换器
一种AC/DC变换器,包括前级的PFC电路和后级的DC/DC变换器,特征是PFC电路是带中点箝位的PFC电路,DC/DC变换器是带同步整流的LLC变换器。本发明具有AC/DC功能,实现输入的PFC功能,使输入电流跟随输入...
弗兰克·赫尔特胡永辉武志贤吴云黄庆义黄立巍
一种功率变换电路及逆变器
一种功率变换电路及逆变器,能够实现自动均流。该电路包括变压器、两个第一开关管、四个第二开关管和电容,其中:两个第一开关管串联构成第一支路;四个第二开关管中每两个第二开关管串联构成一个支路;两个第一开关管构成的第一支路和四...
武志贤黄立巍
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共1页<1>
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