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冯夏

作品数:5 被引量:8H指数:2
供职机构:厦门大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电子结构
  • 2篇子结构
  • 2篇金属
  • 2篇半导体
  • 1篇带隙
  • 1篇等离激元
  • 1篇电子态
  • 1篇电子态密度
  • 1篇英文
  • 1篇阵列
  • 1篇闪锌矿
  • 1篇态密度
  • 1篇气相沉积
  • 1篇芯层
  • 1篇锌矿
  • 1篇精细度
  • 1篇宽带隙
  • 1篇回音壁模
  • 1篇回音壁模式
  • 1篇光学

机构

  • 5篇厦门大学

作者

  • 5篇冯夏
  • 4篇康俊勇
  • 1篇蔡端俊
  • 1篇朱梓忠
  • 1篇庄庆瑞
  • 1篇张华

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2006
  • 1篇2001
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种表面等离激元同轴光波导结构
一种表面等离激元同轴光波导结构,涉及一种光波导。提供一种有利于传播光信号的表面等离激元同轴光波导结构。设有圆柱形芯层和管状壳层,圆柱形芯层为金属芯层,壳层为宽带隙介质壳层。以金属为芯层的表面等离激元同轴线光波导结构,可以...
康俊勇庄庆瑞冯夏
文献传递
闪锌矿GaN(001)表面的电子结构被引量:3
2001年
采用混合基表示的第一原理赝势方法 ,计算了闪锌矿结构的 Ga N(0 0 1) (1× 1)干净表面的电子结构 .分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质 ,比较了 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面和 N端表面两种情况 .结果显示 ,闪锌矿 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面比 N端表面更稳定 ,这两种 (1× 1)表面都是金属特性 .此外 。
蔡端俊冯夏朱梓忠康俊勇
关键词:电子结构闪锌矿半导体材料
ZnO基半导体—金属异质纳米结构
新型半导体异质结构是当前半导体科学技术研究的前沿领域。借助异质材料的接触与融合所产生的表面和界面的奇异功能特性,来创造新型材料和器件,已成为许多研究领域的指导思想。本论文从ZnO基半导体出发,探索发展新结构、揭示新现象、...
冯夏
关键词:ZNO薄膜半导体气相沉积回音壁模式
硅酸锌的电子结构(英文)被引量:5
2006年
采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示,主要电子态分布在-7.18~0.00eV和2.79~10.50eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66,2.89eV。
张华冯夏康俊勇
关键词:硅酸锌电子态密度
具有新光学性质的Zn-Zn_2SiO_4纳米同轴线阵列
2006年
采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn2SiO4。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn2SiO4壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。
冯夏康俊勇
共1页<1>
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