冯志刚
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：上海交通大学微电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于DCIV法对pMOSFET热载流子损伤的研究被引量：1
- 2009年
- 利用新型的直流电流电压(DCIV)法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为,并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理解释。实验发现在栅极电压较高的热载流子应力条件下,热载流子引发表面态密度随时间变化的两个阶段:第一阶段,电负性的氧化层陷阱电荷起主导作用,使线性区漏端电流随时间增加;第二阶段,表面态逐渐起主导作用,导致线性电流随时间逐渐减小。
- 冯志刚何波涌
- 关键词：PMOSFET热载流子退化表面态
- 双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响
- 2009年
- 基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分析表明,这主要是由于持续电压负载引起器件内部界面态的变化和电子注入场氧层,进而改变了器件不同区域内部电场分布所致。同时模拟研究还表明,在Isub第一极大值条件下应力所致的器件退化,主要是由器件漏/沟道耗尽区域的电场强度增加引起的;而在Isub第二极值条件下的应力诱发器件退化,则主要是由漏端欧姆接触附近的电场加强所致。
- 刘博王磊冯志刚王俊李文军程秀兰
- 关键词：高压器件衬底电流热载流子注入
