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Cr掺杂对Cu/Si(100)薄膜体系的微观结构及电阻率的影响被引量：3: 2007年; 利用简易合金靶在Si（100）衬底磁控溅射制备Cu、Cu-1．19％Cr和Cu-2，18％Cr薄膜，研究Cr对Cu薄膜在300-500℃真空退火前后的结构和电阻率的影响。X射线衍射分析表明：Cu及Cu（Cr）薄膜均呈现Cu（111）和Cu（200）衍射峰，并且Cu（Cr）薄膜一直保持较强的（111）织构。原子力显微分析表明：Cu薄膜在500℃退火时，薄膜与硅基底发生明显的互扩散，薄膜表面的致密度及平整度下降：而Cu（Cr）薄膜在退火时保持较高的致密度，Cr显著提高Cu／Si薄膜体系的热稳定性。Cu（Cr）薄膜的电阻率随温度升高先减小而后增加，在400℃及500℃退火30min后分别达到最小值2．76μΩ·cm和2．97μΩ·cm，与纯Cu膜相近（2．55μΩ·cm）。Cu（Cr）薄膜退火电阻率的大幅度减小与薄膜晶粒尺寸的增加以及Cr的扩散有关。适量的Cr掺杂和合理的退火工艺使得Cu（Cr）合金薄膜在高温互连材料方面具有很大的应用前景。; 王新建刘嘉聪洪波姜传海董显平; 关键词：织构电阻率

Cr,Mo对Cu/Si(100)薄膜体系结构、电阻率及扩散性能的影响被引量：2: 2007年; 利用简易合金靶材在Si（100）基底单靶磁控溅射制备Cu（Cr）、Gu（Mo）薄膜．研究薄膜在300～500℃退火前后的结构、电学及扩散性能的变化．结果表明，Cr、MO的加入增强了Cu薄膜的（111）织构，且溅射态薄膜电阻率显著增加．真空退火后，Cu（200）和Cu（220）衍射峰增强，但薄膜保持较强的（111）织构．Cu（1．19％Cr）薄膜电阻率随温度升高先减小后增加，400℃退火后电阻率最小，为2．76μΩ·cm，接近纯Cu薄膜（2．55μΩ·cm）；而Cu（1．28％Mo）薄膜的电阻率一直呈下降趋势．Cu（1．28%Mo）薄膜在400℃退火30min后，薄膜与Si基底间的互扩散深度约60nm，与纯Cu薄膜（约70nm）相似．而Cu（1．19%Cr）薄膜的互扩散深度较小为30nm．Cr显著减小了Cu、Si之间的互扩散．这与Cr在薄膜／基体界面处的偏聚有关．; 王新建刘嘉聪董显平姜传海洪波; 关键词：磁控溅射电阻率织构互扩散

钛掺入对Cu/Si(100)及Cu/SiO_2薄膜体系热稳定性的影响被引量：1: 2008年; 利用简易合金靶材在Si（100）和SiO2基底上磁控溅射制备了Cu（1.42%Ti）薄膜。研究了少量钛对Cu/Si（100）和Cu/SiO2薄膜体系在573-773 K退火前后的微观组织结构以及界面反应的影响。X射线衍射分析表明，溅射态Cu（Ti）薄膜均呈现Cu（111）和Cu（200）衍射峰，而钛显著增强铜薄膜的（111）织构。对于退火态的Cu（Ti）/Si薄膜体系，由于少量钛在薄膜/基底界面处的存在，起到净化界面作用，促使Cu3Si的形成，从而降低了薄膜体系的热稳定性。但对于Cu（Ti）/SiO2薄膜体系，在773 K退火后，仍然呈现出良好的热稳定性。薄膜截面的结构形貌以及界面处俄歇谱的分析结果都充分证实了上述结果。; 刘嘉聪王新建董显平吴建生; 关键词：微观结构净化作用热稳定性

合金化对Cu/SiO<,2>薄膜体系微观结构以及电性能的影响: 随着超大规模集成电路的发展，Cu代替了常用的Al成为新兴的互连线材料。也就是最新发展的所谓“铜互连工艺”。但是Cu在硅基底集成电路中的应用存在一些困难，例如铜在硅和介质层中的扩散速度较快，目前一般在薄膜和基底间镀一层阻挡...; 刘嘉聪; 关键词：磁控溅射微观结构电性能热稳定性; 文献传递

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刘嘉聪