吴智
- 作品数:7 被引量:10H指数:2
- 供职机构:武汉理工大学更多>>
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- 相关领域:一般工业技术理学更多>>
- PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响
- 吕纯周静吴智沈杰陈文
- 钽镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅铁电薄膜性能的影响被引量:2
- 2015年
- 采用溶胶–凝胶工艺在Pt/Ti/Si O2/Si基片上,通过引入钽镁酸钡[Ba(Mg1/3Ta2/3)O3,BMT]缓冲层,制备了锆钛酸铅[Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT]铁电薄膜。研究了BMT缓冲层对PZT铁电薄膜结晶和性能的影响。结果表明:引入BMT缓冲层利于PZT薄膜的生长;PZT薄膜具有钙钛矿结构,且没有裂纹、结晶良好、致密性好;缓冲层的厚度对PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响。随BMT缓冲层厚度增加,PZT晶粒增大,介电损耗tanδ逐渐减少,介电常数εr和剩余极化强度Pr先增大后减少,矫顽场Ec先减少后增大。当BMT缓冲层厚约为10 nm时,PZT薄膜具有最优的铁电性能:εr=1 850,Pr=20.2μC/cm2,Ec=43.9 k V/mm。这与BMT与PZT具有相似的晶格常数、较小的晶格失配度和相近的禁带宽度有关。
- 梁雄毅吴智秦霞周静祁琰媛
- 关键词:缓冲层铁电性能
- 异离子复合掺杂对Ca_3Co_4O_9热电材料的影响研究
- 吴智
- 关键词:热电性能
- PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响被引量:8
- 2014年
- 采用液相旋涂法制备了Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)复合薄膜,研究了PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响。随着PZT薄膜厚度的增加,BMT/PZT复合薄膜的介电常数呈线性增加。当PZT薄膜的厚度较小时,会明显地增加BMT/PZT复合薄膜的介电损耗;当继续增加PZT薄膜的厚度,介电损耗反而下降直到与BMT薄膜的介电损耗值接近。这是由于PZT的介电常数与介电损耗均明显高于BMT薄膜所致,而异质界面的存在抑制了PZT薄膜中畴壁的运动,使其对复合薄膜介电损耗的影响减弱。研究结果表明,PZT薄膜的引入可以提升BMT薄膜的介电常数而对介电损耗的影响不大。
- 吕纯吴智周静沈杰陈文
- 关键词:介电性能
- BMT/PZT异质叠层薄膜的制备及性能研究
- 随着器件微型化、功能化、集成化的发展,单一组成的介电、铁电材料已无法满足现代生产生活需求,可以将具有不同性能的介电和铁电薄膜复合,以达到提高性能和扩展应用的目的。本文以PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)、Ba(M...
- 吴智
- 关键词:PZT薄膜介电性能
- 一种介电-压电复合薄膜移相器
- 本发明属于微波工程技术领域,具体的说是涉及一种介电-压电复合薄膜移相器,它包括介质基底、条形驱动电极、压电薄膜、介电薄膜以及叉指式共面波导传输线,所述条形驱动电极设在介质基底上,压电薄膜沉积在条形驱动电极上,介电薄膜沉积...
- 周静吴智陈文沈杰胡麟吕纯
- 文献传递
- 一种介电-压电复合薄膜移相器
- 本发明属于微波工程技术领域,具体的说是涉及一种介电‑压电复合薄膜移相器,它包括介质基底、条形驱动电极、压电薄膜、介电薄膜以及叉指式共面波导传输线,所述条形驱动电极设在介质基底上,压电薄膜沉积在条形驱动电极上,介电薄膜沉积...
- 周静吴智陈文沈杰胡麟吕纯
- 文献传递