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张上洋

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:西安电子科技大学微电子学院更多>>
发文基金:军事电子预研基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇带隙基准
  • 2篇温度系数
  • 2篇CMOS
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低温漂
  • 1篇电路
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇曲率校正
  • 1篇驱动电路
  • 1篇温度补偿
  • 1篇芯片
  • 1篇控制芯片
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇基准源
  • 1篇集成电路

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇张上洋
  • 2篇吴玉广
  • 1篇唐华
  • 1篇肖明

传媒

  • 2篇微计算机信息

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种低压低温漂的CMOS带隙基准源被引量:2
2006年
基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源。使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2ppm/℃,工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。
肖明吴玉广唐华张上洋
关键词:带隙基准源曲率校正温度系数电源抑制比
一种3ppm/℃带隙基准电压源的设计
2008年
采用二级温度补偿对传统电流模式结构的带隙基准电压电路进行改进,基于chartered 0.35um cmos工艺,使用cadence spectre进行仿真,结果表明工作电压为2v时,电路可以输出100mv—1.8v的宽范围电压;在-20-120温度范围内,平均温度系数约3ppm/°C。
张上洋吴玉广
关键词:温度补偿带隙基准CMOS温度系数
一种市电供电白光LED驱动电路中控制芯片的设计
白光LND以其高效、节能、环保、寿命长、易维护等优点,将逐渐取代传统的白炽灯、荧光灯成为新一代照明光源。由于它的电学参数离散性大,并且容易受温度影响,因而需要设计专门的驱动控制芯片来驱动它。 本文主要针对一种市...
张上洋
关键词:白光LEDLED驱动电路控制芯片CMOS集成电路
文献传递
共1页<1>
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