您的位置: 专家智库 > >

刘丰奎

作品数:10 被引量:7H指数:2
供职机构:重庆科技学院更多>>
发文基金:重庆市教育委员会科学技术研究项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学交通运输工程机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 3篇相变
  • 3篇分子
  • 2篇振动能级
  • 2篇能级
  • 2篇光谱
  • 2篇光谱常数
  • 2篇半导体
  • 1篇等厚干涉
  • 1篇电离
  • 1篇电离势
  • 1篇电器件
  • 1篇电子激发
  • 1篇电子激发态
  • 1篇迭代
  • 1篇镀膜
  • 1篇镀膜工艺
  • 1篇镀膜技术
  • 1篇英文
  • 1篇闪锌矿结构
  • 1篇势能函数

机构

  • 6篇重庆科技学院
  • 4篇四川大学
  • 1篇重庆大学

作者

  • 10篇刘丰奎
  • 6篇陈恒杰
  • 4篇方旺
  • 3篇朱俊
  • 2篇肖星宏
  • 2篇杨维清
  • 1篇孙宝光
  • 1篇唐海燕
  • 1篇郭雷
  • 1篇刘勇
  • 1篇阳廷义
  • 1篇罗从正
  • 1篇薛善增
  • 1篇樊玉勤
  • 1篇杨耀辉
  • 1篇杨文艳
  • 1篇刘勇

传媒

  • 3篇原子与分子物...
  • 2篇四川大学学报...
  • 1篇汽车技术
  • 1篇化学学报

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2007
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
LiBe^+分子基态及其低电子激发态被引量:3
2011年
采用Davidson校正的多参考组态相互作用方法(MRCI+Q)和多参考平均二次耦合团簇方法(MRAQCC)结合基组ROOS-ANO-TZP得到了LiBe+分子基态(X1Σ+)以及六个低电子激发态(a3Σ+,b3Π,A1Σ+,B1Π,c3Σ+,C1Σ+)的势能曲线(PECs).计算结果表明:X1Σ+,a3Σ+,b3Π和B1Π为弱束缚态,A1Σ+,c3Σ+和C1Σ+为排斥态.接着确定出束缚态的平衡键长Re,并将得到的势能曲线在全区域拟合到Murrell-Sorbie(MS)解析势能函数形式,从而获得各束缚电子态的光谱数据.基态X1Σ+的平衡键长为0.263 nm,谐振频率ωe为316 cm-1,离解能De为0.57 eV.a3Σ+,b3Π和B1Π分别位于基态2.45,3.10,5.47 eV之上,平衡核间距分别为0.297,0.270,0.284 nm,相应的谐振频率为272,236和257 cm-1.排斥态A1Σ+,c3Σ+和C1Σ+对应的垂直激发能Tv分别为4.75,6.43,6.72 eV.目前计算值和文献结果符合得非常好.最后在束缚态的平衡结构附近做Dunham展开,获得的光谱常数与MS结果一致,据此得到X1Σ+,a3Σ+,b3Π和B1Π态的部分振动能级.
孙宝光陈恒杰刘丰奎杨耀辉
关键词:解析势能函数光谱常数振动能级
InP的相变、能带结构及其光学性质的研究
InP是制作光电仪器、半导体激光器以及发光二极管很常用的半导体材料。虽然它们在技术方面已得到广泛的应用,在高压下的性质也得到了大量地研究,但是在高压下的一些基本问题(包括其几何结构、电子结构及键的机制等)还未获得解决。 ...
刘丰奎
关键词:半导体材料INP相变光学性质
文献传递
一种大面积和图形化过渡金属硫化物薄膜的制备方法
本发明公开了一种大面积过渡金属硫化物薄膜的制备方法,大面积制备方法包括如下步骤:1)将过渡金属通过镀膜工艺沉积到衬底上形成过渡族金属薄膜;2)对过渡族金属薄膜进行硫化反应;所述过渡金属硫化物化学式为AB<Sub>2</S...
刘丰奎谭仁兵陈恒杰阳廷义樊玉勤方旺
文献传递
ZnSe弹性常数和相变的从头计算(英文)被引量:1
2007年
利用平面波密度泛函理论研究了ZnSe从闪锌矿结构到盐石结构的相变.结果发现通过H相等得到的相变压力为16.8 GPa,与通过高压弹性常数值判断所得到的结果相符.
杨维清罗从正朱俊肖星宏刘丰奎
关键词:相变ZNSE
HOF分子电离态的运动方程耦合簇研究
2015年
采用单双激发运动方程耦合簇(EOM-CCSD)以及多个包含迭代三激发在内的运动方程耦合簇变体(EOM-CCSDT-i,i=1a,1b,2,3和EOM-CC3)计算了HOF价层垂直电离势(VIP).在EOM-CCSD水平上优化出各价层电离态结构,得到绝热电离势(AIP),进一步计算出谐振频率.同时对称匹配簇组态相互作用(SAC/SAC-CI)也被应用到部分计算.结果显示:EOM-CC3、EOM-CCSDT-3计算的VIP接近于全三激发运动方程耦合簇EOM-CCSDT结果;EOM-CC与SAC-CI值基本一致;同时发现HOF光电子能谱实验在2A'态指认上有误并重新进行归属.HOF的第三VIP应为16.9 e V,而非光电子能谱实验测得的16.0 e V.
陈恒杰郭雷方旺刘丰奎
HOF分子非谐性力场、光谱常数和振动能级的迭代三激发耦合簇计算被引量:1
2014年
采用包含迭代三激发的耦合簇理论(CC3和CCSDT-3),在aug-cc-p VTZ基组水平上对HOF分子几何构型进行优化.通过解析二阶导数结合有限差分技术获得HOF二阶、完全三阶和半对角四阶力场.通过非谐性分析,得到其基频、旋振相互作用常数、非谐性常数和离心畸变光谱常数.应用二阶振动微扰理论(VPT2)得到HOF多个泛频峰位置.目前计算值与实验及其它文献结果符合良好.
陈恒杰方旺刘丰奎薛善增
关键词:光谱常数振动能级
一种用改进的牛顿环测量液体的固体总溶度的方法
本发明公开了一种用改进的牛顿环测量液体的固体总溶度的方法,包括以下步骤:S1:对平板玻璃和平凸透镜进行清洗;S2:利用镀膜工艺在平板玻璃上镀用于增强光线反射率的膜;S3:增大平凸透镜的曲率半径,将平凸透镜的曲面向下与平板...
王紫肖翔吴成飞刘丰奎陈恒杰
文献传递
VAN总线技术及应用被引量:2
2007年
阐述了VAN总线协议及其技术特点,描述了VAN的物理层和数据链层。以实例说明VAN总线载波监听多路访问/冲突检测技术和E-Manchester编码。介绍了3类通信模块、报文格式及其各部分的组成及功能。对通信中5种条件下的通信帧进行了说明,最后介绍了VAN总线的两种典型应用形式和发展趋势。
刘勇朱俊杨伟刘丰奎
Y_2Ti_2O_7:Cr^(3+)晶体中Cr^(3+)杂质中心EPR参量及缺陷结构研究
2012年
本文利用强场图像中的高阶微扰公式计算了Y_2Ti_2O_7:Cr^(3+)晶体的电子顺磁共振谱(EPR)参量(g因子g_(//,g⊥)和零场分裂D),计算中采用双旋-轨耦合参量模型,同时考虑了中心离子和配体的旋-轨耦合对EPR参量的贡献,计算结果与实验值很好地吻合.结果表明Cr^(3+)掺入Y_2Ti_2O_7晶体会引起O^(2-)偏向[111]方向(C_3轴)2.55°,同时,杂质中心O^(2-)-Cr^(3+)键长相对于基质晶体的O^(2-)-Ti^(4+)键长增加0.005 A.
方旺陈恒杰杨文艳刘丰奎唐海燕
关键词:晶体场理论
磷化铟从闪锌矿结构到氯化钠结构的相变
2007年
用两种方法研究了InP从闪锌矿结构到氯化钠结构的相变,第一种是基于等焓的方法,另外一种是根据柯西平衡判据.利用从头算平面波赝势密度泛函理论研究了InP在一系列高压下的电子结构和弹性常数,同时根据等焓条件发现InP从闪锌矿结构到氯化钠结构的相变压强是12.1 GPa,与根据柯西平衡判据得到的结果一致,从而说明用这两种方法来研究晶体的结构相变是可行的.
刘丰奎朱俊刘勇杨维清肖星宏
关键词:半导体从头算相变
共1页<1>
聚类工具0