孙瑞赟
- 作品数:9 被引量:12H指数:1
- 供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信理学文化科学更多>>
- 一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法
- 本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是:使用特定腐蚀剂,对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀,过程中不损伤碲镉汞外延层材料,然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀,以消除可能的界面层。通过此样品...
- 仇光寅魏彦锋陈倩男孙权志孙瑞赟
- 文献传递
- 50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术被引量:10
- 2017年
- 采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控制,50 mm×50 mm外延材料的组分均方差达到了0.000 4,厚度均方差达到了0.4μm.在批量生产技术中,加强了对单轮次生长环境的均匀性和生长轮次之间生长条件一致性的控制,同一轮次生长的3片材料之间的组分偏差小于0.000 4,厚度偏差小于0.1μm,不同生长轮次之间材料的组分之间的波动在±0.002左右,厚度之间的波动在±2μm左右.工艺中对碲锌镉衬底的Zn组分、缺陷尺寸和缺陷密度也加强了控制,以控制大面积外延材料的缺陷,晶体双晶衍射半峰宽(FWHM)小于30弧秒,外延材料的位错密度小于1×105cm^(-2),表面缺陷密度小于5 cm^(-2).外延材料经过热处理后,汞空位型的P型Hg0.78Cd0.22Te外延材料77 K温度下的载流子浓度被控制在8~20×1015cm-3,空穴迁移率大于600 cm2/Vs.材料整体性能和批生产能力已能满足大规模碲镉汞红外焦平面探测器的研制需求.
- 孙权志孙瑞赟魏彦锋孙士文周昌鹤徐超虞慧娴杨建荣
- 关键词:碲镉汞液相外延大尺寸高性能
- 非接触式晶片厚度测量装置及方法
- 本发明公开了一种非接触式晶片厚度测量装置及方法,其特征是:超净的晶片装置于一个相对封闭的净化空间内,使用傅里叶变换红外光谱仪利用非接触方法测量出该晶片两边至腔体内壁之间空气层的厚度,使用千分尺测量得到腔体两个内壁间距,这...
- 陈晓静魏彦锋张传杰徐庆庆孙瑞赟
- 不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响被引量:1
- 2022年
- 对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝化层结构的不同而发生改变。且这种改变是因为HgCdTe表层的钝化层的存在改变了原始热退火的平衡态过程。同时,通过二次离子质谱(SIMS)测试以及相应的理论拟合进行了验证。
- 沈川刘仰融孙瑞赟卜顺栋陈路何力
- 关键词:碲镉汞钝化层热退火
- 一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法
- 本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是:使用特定腐蚀剂,对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀,过程中不损伤碲镉汞外延层材料,然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀,以消除可能的界面层。通过此样品...
- 仇光寅魏彦锋陈倩男孙权志孙瑞赟
- 非接触式晶片厚度测量装置及方法
- 本发明公开了一种非接触式晶片厚度测量装置及方法,其特征是:超净的晶片装置于一个相对封闭的净化空间内,使用傅里叶变换红外光谱仪利用非接触方法测量出该晶片两边至腔体内壁之间空气层的厚度,使用千分尺测量得到腔体两个内壁间距,这...
- 陈晓静魏彦锋张传杰徐庆庆孙瑞赟
- 文献传递
- Au掺杂HgCdTe材料的光电特性被引量:1
- 2021年
- Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为~8×10^(15)/cm^(3),通过富Hg退火技术来抑制材料中的Hg空位,Hg空位的浓度控制在1~2×10^(15)/cm^(3)。变温霍尔测试表明,退火材料中的受主杂质能级为8~12 meV,并且与退火条件相关。采用Au掺杂材料和离子注入成结工艺制备了截止波长为14μm的甚长波红外焦平面器件,测试结果显示,用Au掺杂取代Hg空位掺杂,可以显著提高红外探测器的光响应率,探测器的内量子效率可以达到95%以上。
- 魏彦锋孙权志张娟孙瑞赟
- 关键词:少子扩散长度
- 一种液相外延衬底化学抛光系统
- 本实用新型公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽,并设置警铃提醒,当衬底厚度达...
- 张娟魏彦锋孙权志孙瑞赟陈倩男
- 文献传递
- 液相外延衬底化学抛光系统
- 本发明公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽,并设置警铃提醒,当衬底厚度达到预...
- 张娟魏彦锋孙权志孙瑞赟陈倩男
- 文献传递