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穆杰

作品数：8 被引量：4H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电气工程

主题

  • 8篇电池
  • 3篇电流扩展
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇量子阱结构
  • 3篇P-I-N
  • 3篇INGAN
  • 2篇太阳电池
  • 2篇热电池
  • 2篇抗辐射
  • 2篇空腔
  • 2篇拉杆
  • 2篇环状
  • 2篇二极管
  • 1篇电池放电
  • 1篇电池正极
  • 1篇电池正极材料
  • 1篇电性能
  • 1篇电压
  • 1篇电压滞后

机构

  • 8篇中国电子科技...
  • 1篇天津蓝天太阳...

作者

  • 8篇穆杰
  • 7篇王帅
  • 7篇康培
  • 6篇高鹏
  • 4篇孙强
  • 4篇刘如彬
  • 3篇张启明
  • 2篇杨晓勇
  • 1篇许军
  • 1篇丁飞
  • 1篇王保民
  • 1篇张宝
  • 1篇刘兴江
  • 1篇高伟
  • 1篇张晶
  • 1篇刘长喜
  • 1篇高慧

传媒

  • 2篇电源技术

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 3篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
量子点太阳电池研究进展被引量：2
2011年
分析了量子点太阳电池的物理机理。详细阐述了提高量子点太阳电池光电转换效率的两个效应:第一个效应是来自具有充足能量的单光子激发产生多激子;第二个效应是在带隙里形成中间带,可以有多个带隙起作用,来产生电子空穴对。综述了近年来量子点太阳电池材料和器件的研究进展,并对几个有待于进一步研究的问题进行展望。
康培刘如彬王帅张启明孙强穆杰
关键词：量子点太阳电池
一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池的制备方法
本发明涉及一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池的制备方法，包括在衬底上依次生长GaN成核层、GaN缓冲层、n-GaN层和p-GaN层，其特征在于：在n-GaN层和p-GaN层之间还生长未掺杂的i-In<Sub>x</...
刘如彬孙强张启明王帅康培高鹏穆杰
文献传递
一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池
本发明涉及一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池，包括一衬底，其上依次为GaN成核层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-GaN层和Mg掺杂的p-GaN层，其特点是：Si掺杂的n-GaN层上生长有i-In<Sub>x</Sub...
刘如彬孙强张启明王帅康培高鹏穆杰
文献传递
组合热电池装配架的制备方法
本发明涉及一种组合热电池装配架的制备方法，其特点是：底板上加工出相邻两底板裙边、底板大加强筋和底板小加强筋围成的底板减重槽；顶板上加工出相邻两顶板裙边、顶板大加强筋和顶板小加强筋围成的顶板减重槽；将制作的拉杆固装于用底板...
杨晓勇王帅康培高鹏穆杰
文献传递
锂电池正极材料用氟化碳的制备方法
本发明涉及一种锂电池正极材料用氟化碳的制备方法，步骤包括：(1)选取X＝0.9～1.0的氟化石墨CF<Sub>X</Sub>和X＝0.9～1.1的氟化碳纳米管CF<Sub>X</Sub>；(2)将质量比范围为6∶4至9....
张晶丁飞刘兴江王帅康培高鹏穆杰
文献传递
含有布拉格反射器的GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量：2
2014年
通过数学方法,对中心波长为880 nm的布拉格反射器进行了理论计算和设计。采用MOCVD技术在Ge衬底上外延生长了15个周期,中心波长为880 nm的AlAs/GaAs结构的布拉格反射器,并且成功植入到GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池中,使中间电池减薄到1.5μm,并且在AM0光谱下电池效率达到29.36%。
高伟高慧许军张宝刘长喜王保民穆杰
关键词：布拉格反射器太阳电池中心波长反射率
组合热电池装配架的制备方法
本发明涉及一种组合热电池装配架的制备方法，其特点是：底板上加工出相邻两底板裙边、底板大加强筋和底板小加强筋围成的底板减重槽；顶板上加工出相邻两顶板裙边、顶板大加强筋和顶板小加强筋围成的顶板减重槽；将制作的拉杆固装于用底板...
杨晓勇王帅康培高鹏穆杰
文献传递
一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池
本发明涉及一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池，包括一衬底，其上依次为GaN成核层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-GaN层和Mg掺杂的p-GaN层，其特点是：Si掺杂的n-GaN层上生长有i-In<Sub>x</Sub...
刘如彬孙强张启明王帅康培高鹏穆杰
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