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管艾荣

作品数:5 被引量:22H指数:3
供职机构:江苏大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:江苏省高技术研究计划项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术自动化与计算机技术化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇树脂
  • 5篇环氧
  • 5篇环氧树脂
  • 3篇负热膨胀
  • 3篇ZRW2O8
  • 2篇电学性能
  • 2篇电子封装材料
  • 2篇性能研究
  • 2篇封装
  • 1篇电学
  • 1篇电子封装
  • 1篇电子技术
  • 1篇填料
  • 1篇钨酸锆
  • 1篇线膨胀系数
  • 1篇环氧树脂E-...
  • 1篇封装材料
  • 1篇复合材料
  • 1篇改性
  • 1篇改性环氧

机构

  • 5篇江苏大学

作者

  • 5篇徐伟
  • 5篇徐桂芳
  • 5篇管艾荣
  • 2篇程晓农
  • 1篇徐红星

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇热固性树脂
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇江苏大学学报...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
环氧树脂/ZrW_2O_8封装材料的制备及其性能被引量:7
2008年
将负热膨胀材料ZrW2O8粉体按一定质量比例与E-51环氧树脂混合,制备电子封装材料.测定了不同比例下封装材料的线膨胀系数、玻璃化温度、抗拉与弯曲强度、吸湿率和耐腐蚀性能.研究结果表明:采用超声波处理,可使ZrW2O8粉体均匀分散在环氧树脂E-51基体中.随着ZrW2O8质量分数的增加,封装材料的线膨胀系数下降,玻璃化温度升高,拉伸、弯曲强度与抗吸湿性提高;当ω(E-51)∶ω(ZrW2O8)=3∶2时,封装材料的耐酸性腐蚀较好,而耐碱性腐蚀的能力较差.
徐桂芳程晓农徐伟徐红星管艾荣
关键词:环氧树脂负热膨胀封装材料
负热膨胀ZrW_2O_8改性环氧树脂性能研究被引量:5
2009年
采用硅烷偶联剂处理的负热膨胀材料ZrW2O8超细粉体与环氧树脂(EP)共混制备ZrW2O8/EP复合材料。检测了不同ZrW208含量下复合材料的冲击强度、拉伸强度、拉伸断口形貌、洛氏硬度、线膨胀系数和玻璃化温度。结果表明ZrW2O8粉体对EP有较好的改性作用:当叫(ZrW2O8):ψω(EP)-16:100时复合材料的冲击韧性和拉伸强度达最大,分别为16.13kJ/m2和55.86MPa:ZrW2O8对复合材料洛氏硬度影响不大,但降低了线膨胀系数,ω(ZrW208):ω(EP)-20:100时线膨胀系数降至3.7322×10^-5/K;复合材料的玻璃化温度在124-129℃之间。
徐桂芳管艾荣徐伟
关键词:环氧树脂复合材料ZRW2O8
ZrW_2O_8/E—51电子封装材料电学性能研究被引量:2
2007年
采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料。测试了填料对封装材料的相对介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。结果表明:在相同含量下,ZrW2O8填料效果好;随ZrW2O8量的增加,介质损耗不断减小,ZrW2O8与E-51的质量比为0.7:1时,相对介电常数最大;在室温~163℃范围内,ZrW2O8/B-51的电阻率稳定在3.03×10^6Ω·m,电击穿场强均大于10kV/m。
徐桂芳徐伟管艾荣程晓农
关键词:电子技术电子封装材料环氧树脂ZRW2O8电学性能
负热膨胀填料钨酸锆对环氧封装材料性能影响被引量:9
2008年
由于封装材料与电子元件线膨胀系数差异大,成型后造成开裂、空洞和离层等缺陷,采用化学固相分步法制备的高纯度负热膨胀材料钨酸锆(ZrW2O8)颗粒作为填料,制备ZrW2O8/E-51及SiO2/E-51电子封装材料,测试了不同种类和含量的填料下封装材料线膨胀系数、显微硬度、玻璃化转变温度及磨损性能。实验结果表明:随ZrW2O8含量的增加,ZrW2O8/E-51材料线膨胀系数不断下降,显微硬度不断提高。ZrW2O8/E-51材料的磨损性能优于SiO2/E-51材料,磨损机理主要是粘着磨损和疲劳剥落,后期发生了磨粒磨损。
徐伟徐桂芳管艾荣
关键词:电子封装环氧树脂钨酸锆线膨胀系数
新型环氧树脂E-51的性能研究被引量:1
2007年
采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料。测试了不同种类和含量的填料对封装材料的介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。实验结果表明:随ZrW2O8含量的增加,ZrW2O8/E-51材料的介电常数ε不断增大,介质损耗正切值不断减小。在室温约163℃范围内,ZrW2O8/E-51材料的电阻率稳定在3.03×106Ω·m,电击穿场强均大于10kV·m-1,满足于微电子器件封装材料的实际应用。
徐伟徐桂芳管艾荣
关键词:电子封装材料环氧树脂ZRW2O8电学性能
共1页<1>
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