郑先锋
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：武汉工程大学材料科学与工程学院等离子体化学与新材料湖北省重点实验室更多>>
- 发文基金：湖北省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信更多>>
- 直流辉光氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究
- 等离子体化学气相沉积/(PCVD/)金刚石膜拥有许多卓越的化学和物理性质,在机械、微电子、通讯和国防工业中都有着广泛的应用。目前,工业合成的CVD金刚石厚膜表面非常粗糙,需要经过抛光、切割和图形化等加工过程,才能实现其具...
- 郑先锋
- 关键词：金刚石膜抛光刻蚀
- 文献传递
- 氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜被引量：2
- 2009年
- 分别采用直流辉光、微波和电子回旋共振3种氧等离子体对CVD金刚石膜表面进行了刻蚀.利用扫描电子显微镜对三种等离子体刻蚀后金刚石膜表面的形貌进行了观察分析.通过对刻蚀后形貌差异的比较,探讨了它们各自的刻蚀机理,并从等离子体鞘层理论出发建立了刻蚀模型.
- 吴振辉马志斌谭必松郑先锋汪建华
- 关键词：CVD金刚石膜
- 直流辉光氧等离子体刻蚀金刚石膜的研究被引量：5
- 2007年
- 在直流辉光放电等离子体装置上,利用不同直流功率和工作气压下产生的氧等离子体对CVD金刚石厚膜的表面进行了刻蚀。利用扫描电子显微镜、Raman光谱和电子微量分析天平,分别对刻蚀前后金刚石膜表面的形貌、结构和刻蚀速率进行了观测。结果发现:在工作气压一定时,刻蚀速率随着直流功率的增加而增大,并且刻蚀由各向同性逐渐转变为各向异性。在直流功率一定时,工作气压的降低会导致刻蚀速率的增加,并且刻蚀由各向同性转变为各向异性。但过高的直流功率会导致金刚石膜表面沉积出无定形碳。基于实验研究结果和相关基本理论建立了刻蚀模型,并根据模型得到了影响刻蚀的主要原因在于等离子体中的电子温度和金刚石膜的悬浮鞘电位。
- 郑先锋马志斌张磊王传新满卫东汪建华
- 关键词：金刚石膜刻蚀
