陈朋
- 作品数:9 被引量:36H指数:4
- 供职机构:武汉工程大学更多>>
- 发文基金:湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺轻工技术与工程更多>>
- 高硼掺杂金刚石薄膜(Si/BDD)的制备及电化学性能的研究
- 随着人们生活水平的提高,人们对水质的要求也越来越高,但是工业生产中的废水以及水体污染却日趋严重,这势必要我们尽快找到更好的方法来解决这些问题。在当今社会,“节能减排”已成为时代的主题,废水处理是重要的措施之一,而工业废水...
- 陈朋
- 关键词:微波等离子体化学气相沉积电化学性能刻蚀
- 文献传递
- 掺硼金刚石薄膜电极用于污水处理研究进展被引量:4
- 2010年
- 近年来,掺硼金刚石薄膜(BDD)作为一种新型电极材料,受到人们很大的关注。由于在强酸介质中其惰性表面仍具备低的吸附特性和强的抗腐蚀性;在水和非水溶液中电解时,都有较宽的电化学势窗,与其他电极材料相比,具有更好的化学、物理性能,表现出潜在的应用优势,本文的目的是就从关于导电金刚石薄膜电极在污水处理中的应用的相关文献中所获得的最新研究成果而展开讨论和总结。
- 陈朋满卫东吴宇琼陈高峰董维
- 关键词:污水处理电化学
- 高掺杂Si/BDD薄膜电极的制备及电化学性能被引量:5
- 2011年
- 近年来,掺硼金刚石(BDD)膜因具备独特的优异性能而作为电极材料已经受到很大的关注。本文通过MPCVD法在高掺杂硅衬底上生长掺硼金刚石膜,并用四探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对其进行了检测,发现所制备的掺硼金刚石膜电导率达10-2Ω.cm,同时发现金刚石膜质量因硼原子的掺入而有所下降,采用循环伏安法研究其电化学性质。结果表明,与Pt电极相比(1.8V和-1×10-3~3×10-4A),BDD电极具有很宽的电化学窗口(2.8~3.2V),较低的背景电流(-3×10-6~2×10-6A);选用高掺杂的硅作基底使导线从导电基底接入,能够为Si/BDD电极提供更多工作面积从而节约制备成本;在铁氰化钾电解液中,表面所进行的电化学反应具有较好的准可逆性,并且电极表面具有较好的稳定性。对有机物苯酚的催化氧化检测发现:与Pt电极相比,BDD电极氧化能力强,且氧化产物简单彻底,因此可以作为一种理想的电极材料。
- 陈朋满卫东吕继磊朱金凤董维汪建华
- 关键词:化学气相沉积电化学性能循环伏安法
- 氢等离子作用下Fe、Co对金刚石膜刻蚀的研究
- 2011年
- 金刚石具有很高的硬度,加工困难,为寻找一种刻蚀效率较高的材料,利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,在氢等离子体作用下,研究了Fe、Co对CVD金刚石膜表面的刻蚀效率。用SEM观察刻蚀效果,用Raman光谱对其表面结构进行表征。结果表明:在氢等离子体的作用下,Fe、Co对金刚石表面都有明显的腐蚀作用,其中Fe的刻蚀速率较高,并且可以通过对溶碳材料的厚度控制,来实现对刻蚀速率与刻蚀量的有效控制。对刻蚀后的样品用混合酸及丙酮处理后,得到了可与原始金刚石相媲美的质量。
- 满卫东陈朋吴宇琼吕继磊董维朱金凤
- 关键词:金刚石膜刻蚀MPCVD
- 掺硼多晶金刚石膜电极的电化学研究
- 2010年
- 通过MPCVD法在高掺杂硅衬底上生长掺硼金刚石膜(BDD),并用四探针,扫描电镜,激光拉曼,电化学工作站对其进行了检测,发现所制备的掺硼金刚石膜电导率达10-2Ω.cm,同时发现金刚石膜质量因硼原子的掺入而有所下降,采用循环伏安法研究其电化学性质,结果表明,与Pt电极相比(1.8V和-1×10-3~3×10-4A),BDD具有很宽的电化学窗口(~3.2 V),较低的背景电流(-3×10-6~2×10-6A),在铁氰化钾电解液中,表面所进行的电化学反应具有较好的准可逆性,在对有机物苯酚的催化氧化检测中发现:与Pt电极相比,BDD电极氧化能力强,且氧化产物简单、彻底,因此可以作为一种理想的电极材料.
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- 关键词:化学气相沉积电化学循环伏安法
- 潜在非甾体抗炎药的合成及多晶型研究
- 非甾体抗炎药(NSAIDs)是目前全球处方量最大的药物,因没有成瘾性和依赖性等特点而被优先使用,但其通常会出现胃肠道毒性。目前,提高生物利用度、降低毒性是获得高安全性的NSAIDs的研究热点,而药物的生物利用度及药效与药...
- 陈朋
- 关键词:非甾体抗炎药晶体结构
- 不同衬底材料上外延金刚石的研究被引量:7
- 2010年
- 利用自制的5kW微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置对在不同衬底材料上外延生长的CVD金刚石进行了研究。利用HPHT金刚石、CVD异质形核生长的金刚石及Ia型天然金刚石样品作为籽晶,分析了不同CH4浓度与基片温度对外延CVD金刚石的影响以及通过扫描电子显微镜表征了CVD金刚石外延面的表面形貌。结果发现,HPHT金刚石为籽晶,由于其自身缺陷导致外延效果不佳;CVD异质形核生长的衬底因形核阶段的晶面生长难以控制而使其外延面较粗糙;经打磨的Ia型天然金刚石才是理想的籽晶。当CH4浓度约为10%、基片温度为1020℃时,CVD金刚石的外延生长速率可达到70.0μm/h。
- 满卫东吕继磊吴宇琼陈朋朱金凤董维汪建华
- 关键词:宝石级金刚石微波等离子体化学气相沉积籽晶
- 高比表面金刚石电极的制备方法
- 本发明属于金刚石电极制备领域。高比表面金刚石电极的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)金属电极的清洗;2)导电金刚石膜的制备;3)在导电的金刚石膜表面制备固体刻蚀材料;4)等离子体辅助固体接触法腐蚀金刚石膜表面;5)...
- 满卫东汪建华谢鹏孙蕾陈朋余学超
- 文献传递
- 硬质合金CVD金刚石涂层最新进展被引量:20
- 2011年
- 金刚石因具有优异的物理化学性能被认为是理想的刀具材料。硬质合金基底上涂覆CVD金刚石薄膜有利于改善刀具的加工性能和寿命,但涂层和基底之间存在热膨胀系数差异以及合金中Co对沉积有不利影响,使得薄膜附着力较差。本文综述了近几年来各种提高CVD金刚石涂层刀具切屑性能的方法,从提高薄膜附着力和改善金刚石膜的质量两个方面进行了讨论。并介绍了国外较先进的CVD金刚石涂层刀具的应用,随着技术的不断成熟,CVD金刚石涂层将会有更为广泛的应用。
- 吕继磊满卫东陈朋朱金凤吴飞飞
- 关键词:硬质合金化学气相沉积金刚石薄膜过渡层