魏进
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
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- 一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法
- 本发明公开一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法，其场效应晶体管，由下往上依次包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层；外延层、势垒层形成异质结；异质结上的势垒层上设有欧姆接触源电极、栅极、源电极和欧姆接触漏电极。本...
- 刘扬魏进姚尧
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- GaN HEMT表面电场模型与反向续流设计
- 功率半导体器件在工业控制、电力传输、电源管理等方方面面影响着人类社会。Si基功率器件经过半个多世纪发展，性能已经趋近于理论极限，而现代电子系统对具有更高性能的功率半导体的要求从未止步。采用新型的半导体材料来提升功率器件的...
- 魏进
- 关键词：功率开关器件表面电场欧姆接触
- 一种低开启电压快恢复二极管
- 本文提出了一种新型低开启电压快恢复二极管.理论分析了这种二极管的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对此二极管进行模拟仿真分析,表明:在相同耐压下, 本文所提出的二极管的正向压降比常规PN结二板管低,反向恢复比常规PN...
- 魏进张蒙饶成元张竞陈万军张波
- 关键词：PN结二极管正向压降泄漏电流
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- 常关型场控沟道GaN异质结二极管
- 常关型场控沟道GaN异质结二极管，属于半导体器件技术领域。本发明采用绝缘层-凹槽、调制掺杂以及凹槽-调制掺杂相结合的技术改变现有GaN异质结二极管的导电沟道结构，将原有的常开型自发极化GaN异质结导电沟道改成本发明中的自...
- 陈万军张竞汪志刚魏进张波
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- 一种场致隧穿增强型HEMT器件
- 一种场致隧穿增强型HEMT器件，属于半导体器件技术领域。与常规AlGaN/GaNHEMT器件不同的是，本发明中金属源极是肖特基势垒接触而不是常规结构中的欧姆接触；金属栅极不再位于源极和漏极之间而是通过刻蚀凹槽在远离漏极的...
- 陈万军张竞尉中杰魏进张波
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- 基于能带调制模型的高压增强型AlGaN/GaN HFET器件
- 2012年
- 提出了一种能带调制模型,通过在异质结界面处引入负离子电荷(如氟离子)调制异质结处的局部能带分布,实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变。基于能带调制模型,提出了一种复合调制沟道AlGaN/GaNHFET器件。通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子,不仅实现了增强型器件,而且可以降低尖峰电场,优化异质结电场分布,提高器件击穿电压。通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了模拟分析,并通过实验结果表明,其器件品质因子FOM由传统器件的4.8MW.cm-2提高到26.7MW.cm-2。
- 张竞陈万军汪志刚魏进张波
- 关键词：氮化镓异质结场效应晶体管增强型RESURF
- 一种混合结构场效应晶体管及其制作方法
- 本发明公开一种混合结构场效应晶体管及其制作方法。该器件利用SiC的承受耐压，利用在SiC外延层上外延生长的异质结构层控制器件开关。本发明避免了传统HFET电流崩塌效应；且该器件能够制作比AlGaN/GaN HFET耐压更...
- 刘扬魏进姚尧
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- 具有逆向导通能力的GaN功率开关器件
- 2012年
- 介绍了一种具有逆向导通能力的GaN功率开关器件逆向导通-高电子迁移率晶体管(RC-HFET)。通过在栅极与漏极之间插入一个肖特基电极并与源极连接,RC-HFET获得了一个逆向导电通路,从而相当于一个功率开关与二极管反并联结构。RC-HFET正向工作的原理与传统HFET相似,导通电阻与传统HFET相近。在器件制造上,RC-HFET与传统HFET完全兼容,无需额外的光刻版及加工流程。因此,在电机驱动等需要反向续流的功率系统中,RC-HFET消除了对续流二极管的需求,提供了一种更具成本优势的方案。
- 魏进姚尧张波刘扬
- 关键词：晶体管
- 一种低开启电压二极管
- 一种低开启电压二极管，属于半导体器件技术领域。本发明利用PN结二极管的耗尽区缩小与增大来控制二极管开启和关断，使得器件在很小的正向电压下就有电流通道。在小的正向电压下，阳极欧姆接触结构的引入就能使得器件在正向导通时产生正...
- 任敏张蒙魏进李巍李泽宏张金平张波
- 一种混合结构场效应晶体管及其制作方法
- 本发明公开一种混合结构场效应晶体管及其制作方法。该器件利用SiC的承受耐压，利用在SiC外延层上外延生长的异质结构层控制器件开关。本发明避免了传统HFET电流崩塌效应；且该器件能够制作比AlGaN/GaNHFET耐压更高...
- 刘扬魏进姚尧
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