朱旗
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 調制摻杂場效应晶体管的研制与測試被引量：1
- 1989年
- 对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。
- 朱旗
- 关键词：场效应晶体管砷化镓
- E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制
- 1990年
- 本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料,采用常规化合物半导体工艺,获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET 数字电路的研究与开发具有实际意义。
- 朱旗冯国进
- 关键词：MODFET倒相器砷化镓
- 调制掺杂场效应晶体管的直流特性
- 1990年
- 对调制掺杂场效应晶体管的栅控特性进行了研究。考虑费米能级随二维电子气浓度的变化,计算了器件的直流特性。计算结果包括在阈值电压附近以及非饱和区,与实验结果吻合较佳。
- 朱旗
- 关键词：场效应晶体管调制掺杂直流特性
- 微波GaAs/AlGaAs高电子迁移率晶体管被引量：1
- 1989年
- 采用国产分子束外延设备及国内外尚未报导的部分工艺,试制出具有微波特性的高电子迁移率品体管,其跨导80～135mS/mm,在4GHz下,最小噪声系数2.49dB,最大功率增益10.2dB。
- 朱旗王长河
- 关键词：电子迁移率晶体管微波GAAS
