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王大平

作品数：11 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 4篇镜检
  • 4篇刻蚀
  • 4篇硅片
  • 4篇硅片表面
  • 3篇等离子体刻蚀
  • 3篇点子
  • 2篇电路
  • 2篇电路制造
  • 2篇淀积
  • 2篇独用
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇硫酸铈
  • 2篇刻蚀设备
  • 2篇互连
  • 2篇化学机械抛光
  • 2篇机械抛光
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路制造

机构

  • 11篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 11篇王大平
  • 5篇吴建
  • 4篇冯建
  • 4篇梁涛
  • 2篇谭开洲
  • 2篇张正元
  • 2篇王守祥
  • 2篇唐昭焕
  • 2篇王斌
  • 1篇毛儒焱
  • 1篇任芳
  • 1篇李荣强
  • 1篇崔伟
  • 1篇陈俊
  • 1篇朱煜开

传媒

  • 3篇微电子学
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 4篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
等离子体刻蚀AlSi的方法
本发明涉及一种等离子体刻蚀AlSi的方法。该方法在金属刻蚀设备刻蚀AlSi的基础上，采用等离子刻蚀设备运行去除硅渣的程序和正胶显影设备运行正胶显影程序。由于去除硅渣的程序可去除残留的硅渣，正胶显影程序可去除聚合物点子，因...
王大平叶华王守祥曹阳
文献传递
SDB/SOI硅材料顶层硅膜均匀性控制研究被引量：2
2005年
介绍了SDB/SOI(Silicon D irect Bonging/Silicon On Insulator)硅材料顶层硅膜均匀性的控制方法。顶层硅膜均匀性控制不好,会直接影响到IC或者其他元器件参数的一致性,造成器件成品率低,材料浪费大。因此,在制备SOI材料时,必须严格控制材料顶层硅厚度的均匀性和重复性。
冯建毛儒焱吴建王大平
关键词：硅直接键合SOI减薄均匀性
湿法腐蚀NiCrSi膜的方法
本发明涉及一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法。本发明方法由于采用了单独用水枪近距离对硅片双面冲洗的步骤，有效解决了现有常规腐蚀方法中其硅片表面硫酸铈难以去除的问题；由于湿法腐蚀NiCrSi后生成物硫酸铈不溶于水，不适合常规...
王大平梁涛周世远张正元曹阳
埋氧层厚度对SOI片形变影响的研究
探讨了埋氧层厚度对SOI片的形变影响。随着埋氧层厚度值的增大，其形变也相应变大，经过抛光工序后缓解了SOI片残余应力，减小了SOI片的形变，埋氧层厚度偏厚的SOI片，其warp值仍然偏大，顶层硅均匀性更差。为控制SOI片...
陈俊冯建吴建王大平
关键词：厚度控制
多晶硅介质平坦化的方法
本发明公开了一种多晶硅介质平坦化的方法，用于集成电路制造工艺中的介质平坦。该方法步骤包括：1.在带有槽的硅片上生长200nm氧化层；2.在生长了所述氧化层上的硅片上淀积粒径30-50nm的细多晶硅层，以填满槽；3.在所述...
冯建吴建王大平徐俊
文献传递
外延生长后埋层图形漂移量的测量方法
本发明公开一种测量外延图形漂移的方法，该方法包括：利用光刻版A，在硅片上形成埋层图形；将所述有埋层图形的硅片进行退火处理形成二氧化硅层做为保护层；利用光刻版B，对所述长有保护层的硅片进行光刻、刻蚀，将同一个埋层图形分为保...
吴建徐俊王大平
文献传递
等离子体刻蚀AlSi的方法
本发明涉及一种等离子体刻蚀AlSi的方法。该方法在金属刻蚀设备刻蚀AlSi的基础上，采用等离子刻蚀设备运行去除硅渣的程序和正胶显影设备运行正胶显影程序。由于去除硅渣的程序可去除残留的硅渣，正胶显影程序可去除聚合物点子，因...
王大平叶华王守祥曹阳
文献传递
湿法腐蚀NiCrSi膜的方法
本发明涉及一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法。本发明方法由于采用了单独用水枪近距离对硅片双面冲洗的步骤，有效解决了现有常规腐蚀方法中其硅片表面硫酸铈难以去除的问题；由于湿法腐蚀NiCrSi后生成物硫酸铈不溶于水，不适合常规...
王大平梁涛周世远张正元曹阳
文献传递
多晶硅介质平坦化的方法
本发明公开了一种多晶硅介质平坦化的方法，用于集成电路制造工艺中的介质平坦。该方法步骤包括：1.在带有槽的硅片上生长200nm氧化层；2.在生长了所述氧化层上的硅片上淀积粒径30－50nm的细多晶硅层，以填满槽；3.在所述...
冯建吴建王大平徐俊
文献传递
双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：1
2012年
针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品率得到明显提高。
唐昭焕王大平梁涛李荣强王斌任芳崔伟谭开洲
关键词：半导体工艺刻蚀双层布线
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共2页<12>
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