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孔谋夫

作品数：57 被引量：17H指数：3
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程

主题

  • 17篇电路
  • 16篇导通
  • 14篇功率器件
  • 13篇碳化硅
  • 11篇电阻
  • 11篇二极管
  • 10篇半导体
  • 9篇导通电阻
  • 9篇比导通电阻
  • 7篇续流
  • 7篇传感
  • 6篇续流二极管
  • 6篇生物传感
  • 6篇微阵列
  • 6篇晶体管
  • 6篇半导体功率器...
  • 5篇导通压降
  • 5篇读出电路
  • 5篇异质结
  • 5篇绝缘栅

机构

  • 43篇电子科技大学
  • 14篇重庆大学
  • 1篇重庆电子职业...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 57篇孔谋夫
  • 9篇潘银松
  • 8篇张仁富
  • 8篇王彬
  • 5篇王丽
  • 4篇陈星弼
  • 4篇刘聪
  • 4篇李向全
  • 3篇易波
  • 3篇赵青
  • 3篇黄东
  • 3篇林聚承
  • 2篇张成伟
  • 2篇刘嘉敏
  • 1篇李见为
  • 1篇李任卓
  • 1篇周磊
  • 1篇武锦
  • 1篇吴克军
  • 1篇严永龙

传媒

  • 3篇电子制作
  • 3篇传感技术学报
  • 3篇传感器与微系...
  • 2篇微电子学
  • 1篇电脑知识与技...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 3篇2024
  • 10篇2023
  • 7篇2022
  • 8篇2021
  • 4篇2020
  • 7篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 6篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2006
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种积累型沟道的绝缘栅功率器件
本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及碳化硅功率半导体器件，具体为一种积累型沟道的绝缘栅功率器件。该器件采用积累型沟道提高器件沟道载流子迁移率，降低沟道电阻，采用电荷补偿技术降低器件漂移区电阻，使得器件导通电阻和耐压进行...
孔谋夫侯云如
文献传递
一种集成高速反向续流二极管的碳化硅MOSFET器件
本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及碳化硅功率半导体器件，具体为一种集成高速反向续流二极管的碳化硅MOSFET器件，用以实现碳化硅功率器件与反向续流二极管的集成，与碳化硅MOSFET原有的体区二极管相比，集成的肖特基势...
孔谋夫
文献传递
微阵列生物传感器的自动数据选通器设计
2009年
为了让微阵列生物传感器的多路并行模拟信号能够分时的串行输出,以便后续电路处理,设计了一种自动数据选通器。该数据选通器主要由CMOS传输门和CMOS移位寄存器构成,能同时适用于数字信号与模拟信号。在0.6μm/Level 7 CMOS工艺条件下进行模拟,仿真结果表明:该数据选通器具有较高的性能。
潘银松李向全张成伟张仁富孔谋夫
高正向电流密度的新型碳化硅功率二极管
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体提供了高正向电流密度的新型碳化硅功率二极管，用以克服现有功率二极管正向导通性能与方向性能的制约关系。本发明在现有的结势垒肖特基二极管的基础上，通过分次离子注入工艺，增大了第二导电类型...
孔谋夫陈宗棋于宁
微阵列生物传感器CMOS读出电路降噪技术研究
2008年
为了提高微阵列生物传感器的灵敏度,对其CMOS读出电路存在的1/f噪声、KTC噪声以及微阵列固定偏差噪声进行了详细的分析,提出了一种新型的相关双采样电路,以对噪声进行有效的抑制。仿真结果表明:采用相关双采样的CMOS读出电路使传感器的输入输出转换具有良好的线性关系。
潘银松张仁富孔谋夫李向全张成伟
关键词：生物传感器噪声抑制CMOS读出电路
隧穿辅助导通的硅/碳化硅异质结MOSFET功率器件
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体提供一种隧穿辅助导通的硅/碳化硅异质结M OSFET功率器件，具有新的导通机制：在隧穿机制的辅助下改变硅/碳化硅异质结界面处的能带分布，使其不仅在栅氧化层下方产生导电沟道，而且使得硅...
孔谋夫郭嘉欣黄柯胡泽伟高佳成陈宗棋
文献传递
具有高阈值电压的高压纵向GaN高沟道电子迁移率晶体管
本发明属于半导体技术领域，具体提供一种具有高阈值电压的高压纵向GaN高沟道电子迁移率晶体管，用以在衬底上实现无需P型GaN盖帽层结构的增强型器件，并且具备出色的正向电流能力和耐压能力。本发明结合横向HEMT器件的高迁移率...
孔谋夫于宁罗英芝程泽俞
新型结构氧化镓场效应晶体管功率器件
本发明属于半导体技术领域，具体提供新型结构氧化镓场效应晶体管功率器件，包括：具有高耐压和低比导通电阻的氧化镓横向场效应功率晶体管，具有正阈值电压和小泄漏电流的氧化镓结型场效应晶体管，以及具有高耐压、正阈值电压和小泄漏电流...
孔谋夫高佳成陈宗棋胡泽伟
微阵列生物传感器的读出电路
本发明公开了一种微阵列生物传感器的读出电路，包括缓冲输出单元，以及一个与微阵列生物传感器输出端连接的恒电位仪电流积分单元，该恒电位仪电流积分单元为微阵列生物传感器的工作电极和对电极之间提供一个恒定的偏置电压，并将来自于微...
潘银松孔谋夫刘嘉敏李向全张仁富
文献传递
一种具有多晶硅耐压层的逆导型RC-LIGBT器件
本发明属于半导体功率器件领域，提供一种具有多晶硅耐压层的RC‑LIGBT器件；在传统RC‑IGBT器件基础上，在表面耐压区和氧化层上方引入多晶硅耐压层构成一个反并联二极管；在器件反向工作状态时，形成电流流通路径，使得器件...
黄东易波孔谋夫程骏骥黄海猛赵青杨瑞丰蔺佳
文献传递
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