您的位置： 专家智库 > >

郭燕

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京理工大学泰州科技学院更多>>
发文基金：江苏省高校自然科学研究项目江苏省“青蓝工程”基金南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇缺陷态
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇N-S
  • 1篇NX
  • 1篇A-SI
  • 1篇I-O

机构

  • 1篇南京大学
  • 1篇南京理工大学

作者

  • 1篇董恒平
  • 1篇徐骏
  • 1篇宗波
  • 1篇陈坤基
  • 1篇井娥林
  • 1篇窦如凤
  • 1篇王昊
  • 1篇郭燕

传媒

  • 1篇南京大学学报...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
非晶掺氧氮化硅薄膜中N-Si-O发光缺陷态的研究被引量：1
2017年
在室温下利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备出非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜.通过改变硅烷(SiH_4)和氨气(NH_3)流量比R,可实现薄膜光致发光(PL)峰位在2.06~2.79eV可见光能量范围内的波长调制.光吸收谱中光吸收峰位与PL峰位重叠,表明薄膜发光来源于光吸收边以下0.65eV左右处的缺陷态.通过对傅里叶变换红外光谱(FTIR)的键浓度分析和X射线光电子能谱(XPS)Si 2p峰的分峰拟合,发现薄膜PL强度的增强与N-Si-O键合浓度的升高紧密相关.R=1∶4时,PL强度与N-Si-O键合浓度同时达到最大.进一步证明了a-SiN_x∶O薄膜中的发光缺陷态与N-Si-O键合结构密切相关.此外,PL峰位随流量比R的增大而发生红移的现象可能源自于N-Si-O组态转变造成的缺陷态密度最大位置处的能级偏移和光学带隙变窄引起的价带顶上移.
董恒平陈坤基宗波井娥林王昊窦如凤郭燕徐骏
关键词：缺陷态
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0