陈雪霞
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信环境科学与工程理学更多>>
- Cu掺杂对Cu_2O/Si-NPA可见光催化性能的影响
- 2017年
- 以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,采用溶液浸渍法并通过改变浸渍时间、温度和所用铜盐种类,制备了Cu_2O/Si-NPA,Cu_2O:Cu/Si-NPA(Cu_2O为主相),Cu:Cu_2O/Si-NPA(Cu为主相)和Cu/Si-NPA四种复合纳米结构,并对其表面形貌和微结构以及材料对甲基橙的可见光催化降解性能进行了表征.结果表明,对于面积为1.8 cm×2cm的样品,在光功率密度10 m W/cm^2,波长400~800 nm的可见光辐照100 min后,Cu_2O:Cu/Si-NPA对甲基橙的催化降解率达到~53.6%,较Cu_2O/Si-NPA提高~20%.降解率的提高被归因于Cu_2O中少量金属Cu的存在极大减少了光生电子被缺陷俘获或者与空穴复合的几率,从而有利于光生电子从材料内部到表面的传输,并藉此产生相对于纯相Cu_2O更高的活性含氧基团浓度.该研究结果为进一步提高Cu_2O可见光催化降解有机污染物的效率提供了一种可能的途径.
- 肖旭华陈雪霞韩帅杜蕊李新建
- 关键词：硅纳米孔柱阵列可见光催化降解
- 氮化镓/硅纳米孔柱阵列紫外光电探测性能被引量：2
- 2018年
- 紫外光电探测器的研究与开发在工农业生产、环境监测与保护以及国防工业等领域均具有重要的现实意义.本文以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,采用化学气相沉积(CVD)法并通过改变GaN沉积时间,制备了3种GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列,并对其表面形貌、化学组成和光致发光特性进行了表征.在此基础上,通过上、下电极制作,制备了结构为ITO/GaN/Si-NPA/sc-Si/Ag的光电探测器原型器件,并对其光电探测性能进行了测量.结果表明,在不施加偏压的情况下,采用优化条件制备的ITO/GaN/Si-NPA/sc-Si/Ag器件能够实现对紫外光的有效探测.器件对340nm单色紫外光的响应度达到~0.15mA/W,光响应和恢复时间分别为~0.12和~0.24s.实验结果对研制新型硅基GaN紫外光电探测器具有很好的借鉴意义.
- 陈雪霞肖旭华杜蕊李新建
- 关键词：硅纳米孔柱阵列氮化镓紫外光电探测器
- 硅基GaN紫外探测器研究
- 紫外探测器在高科技领域具有重要且广泛的应用背景.氮化镓(GaN)是一种直接带隙的宽带隙(～3.4 eV)化合物半导体材料，具有热/化学稳定性良好、热导率高、电子极限漂移速度大等优点，因此是制备紫外光探测器的理想材料.目前...
- 陈雪霞李新建
- 关键词：硅基GAN
