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孙成礼

作品数:59 被引量:15H指数:3
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国防基础科研计划中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 50篇专利
  • 9篇期刊文章

领域

  • 18篇化学工程
  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电子电信

主题

  • 52篇陶瓷
  • 33篇介电
  • 28篇陶瓷材料
  • 28篇微波介质
  • 25篇介质陶瓷
  • 24篇微波介质陶瓷
  • 21篇介电常数
  • 19篇微波介质陶瓷...
  • 14篇电子陶瓷
  • 14篇晶相
  • 13篇主晶相
  • 11篇玻璃陶瓷
  • 10篇微波陶瓷
  • 9篇电性能
  • 9篇介电性
  • 9篇介电性能
  • 8篇低介电常数
  • 7篇微波介电
  • 7篇微波器件
  • 6篇微波介电性能

机构

  • 59篇电子科技大学

作者

  • 59篇孙成礼
  • 51篇张树人
  • 23篇唐斌
  • 22篇钟朝位
  • 22篇周晓华
  • 22篇李恩竹
  • 8篇张玉芹
  • 7篇袁颖
  • 6篇李波
  • 3篇徐敬业
  • 2篇张鹏
  • 2篇牛娜
  • 1篇王京
  • 1篇李皓
  • 1篇周星
  • 1篇石燕
  • 1篇赵麒植
  • 1篇司峰
  • 1篇吴锦波

传媒

  • 5篇电子元件与材...
  • 2篇压电与声光
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 7篇2022
  • 9篇2021
  • 6篇2020
  • 4篇2019
  • 8篇2018
  • 5篇2017
  • 8篇2016
  • 7篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2008
59 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法,属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述陶瓷材料由主晶相材料和掺杂相材料经球磨混合、预烧、干压成型、烧结制成,包括主晶相Mg<Sub>2</Sub>SiO<Sub>4</Sub>和掺...
孙成礼周晓华李恩竹张树人唐斌
文献传递
一种低介低损Ca-Al-B基LTCC材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种低介电常数、低介电损耗Ca‑Al‑B基微波介质LTCC材料及其制备方法。本发明将CaO‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>‑B<Sub>2</Sub>O<Sub...
李恩竹温擎宇杨鸿程孙成礼钟朝位张树人
文献传递
一种低介低损Ca-Al-B基微波介质陶瓷材料
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明首次将CaO‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>‑B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
李恩竹温擎宇杨鸿程孙成礼钟朝位张树人
文献传递
陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种陶瓷材料及其制备方法,属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述陶瓷材料由主晶相材料与掺杂相材料经球磨混合、干压成型、烧结制成,包括主晶相MgSiO<Sub>3</Sub>和掺杂相硼硅酸盐玻璃、Al<Sub...
孙成礼张树人周晓华李波
文献传递
一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及其制备方法。本发明通过对钙硼硅基微晶玻璃材料的原料组分以及比例的重大幅度调整,最终以钙、铝、硼和硅为基料,辅以BaCO<Sub>3</Sub>、P<...
李恩竹王宇晨杨鸿程钟朝位张树人孙成礼
一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及电子材料技术,尤其涉及一种中温烧结Ca-Nd-Ti体系微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的原料成分为质量百分比90.15%~100%的Ca-Nd-Ti(CNT)和质量百分比0%~...
李恩竹牛娜张鹏唐斌孙成礼
高介微波介质陶瓷材料及其制备方法
本发明提供一种高介微波介质陶瓷材料,材料化学通式为(Ca<Sub>0.35</Sub>Li<Sub>0.25</Sub>Nd<Sub>0.35</Sub>)(Ti<Sub>1-x</Sub>D<Sub>x</Sub>)O...
唐斌方梓烜孙成礼钟朝位张树人
文献传递
非化学计量比制备纯MgTiO_3和Mg_2SiO_4及其性能
2009年
纯MgTiO3和Mg2SiO4粉体在微波陶瓷工业中具有重要价值,本文将MgO-TiO2和MgO-SiO2按非化学计量比配料,采用传统固相法制备了纯MgTiO3和Mg2SiO4粉体。当MgO和TiO2或SiO2按照1∶1和2∶1的化学计量比配料时,分别得到了主晶相为MgTiO3和Mg2SiO4的粉体,但同时伴随有少量的TiO2或MgO残余。XRD分析表明,MgO过量可以抑制残余TiO2制备纯MgTiO3粉体,而MgO不足可以有效控制MgO残余量制备纯Mg2SiO4粉体。采用SEM表征所制备的纯MgTiO3和Mg2SiO4粉体的形貌和粒度。最终获得的MgTiO3陶瓷1MHz下的介电常数为17.3,损耗角正切1.3×10-4,Mg2SiO4陶瓷1MHz下的介电常数为6.9,损耗角正切2.5×10-4。
赵麒植张树人唐斌周晓华孙成礼
关键词:钛酸镁镁橄榄石固相合成介电性能
一种低介低损Ca-Al-B基LTCC材料及其制备方法
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种低介电常数、低介电损耗Ca‑Al‑B基微波介质LTCC材料及其制备方法。本发明将CaO‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>‑B<Sub>2</Sub>O<Sub...
李恩竹温擎宇杨鸿程孙成礼钟朝位张树人
文献传递
一种低介低损Ca-Al-B基微波介质陶瓷材料
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明首次将CaO‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>‑B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
李恩竹温擎宇杨鸿程孙成礼钟朝位张树人
文献传递
共6页<123456>
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