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陆珊珊

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：广西大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光能
  • 3篇激光能量
  • 3篇光能量
  • 2篇双光路
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇SI(100...
  • 2篇INGAN薄...
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体
  • 1篇电光源
  • 1篇电气照明
  • 1篇照明
  • 1篇照明装置
  • 1篇转盘
  • 1篇光导照明
  • 1篇光纤
  • 1篇半导体

机构

  • 4篇广西大学

作者

  • 4篇陆珊珊
  • 3篇何欢
  • 3篇符跃春
  • 3篇沈晓明
  • 1篇黄瀛
  • 1篇梁春园

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
激光分子束外延生长GaN薄膜
GaN属于第三代半导体材料，具有化学性质稳定、带隙宽、电子迁移率高等特点，在光电和微电子器件、大功率电子探测、高温和高频电子器件等方面具有良好的发展前景。异质外延生长GaN薄膜常用Al2O3和Si作为衬底，但由于GaN与...
陆珊珊
关键词：半导体薄膜氮化镓激光能量表面形貌
一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法
本发明涉及一种双光路脉冲激光沉积设备及其应用在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法，所述设备能够将激光分为双路对靶材进行照射，具体方法为：将清洁好的Si(100)衬底放入基片台上加热至650℃～750℃并保温50...
陆珊珊刘宇伦莫观孔莫组康沈晓明何欢符跃春
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一种双光路脉冲激光在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法
本发明涉及一种双光路脉冲激光沉积设备及其应用在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法，所述设备能够将激光分为双路对靶材进行照射，具体方法为：将清洁好的Si(100)衬底放入基片台上加热至650℃～750℃并保温50...
陆珊珊刘宇伦莫观孔莫组康沈晓明何欢符跃春
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一种小型太阳能光纤导光与电光源混合照明装置
一种小型太阳能光纤导光与电光源混合照明装置，所述菲涅尔透镜安装在菲涅尔透镜支架上端，菲涅尔透镜支架下端安装在跟踪转盘上，跟踪转盘通过转动副安装在转盘支架上，电机带动转盘支架在水平方向上旋转，电机安装在机壳中，电动伸缩杆一...
孙端君梁春园黄瀛覃嘉媛陆珊珊符跃春何欢沈晓明
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