石轩
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院重庆绿色智能技术研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程金属学及工艺更多>>
- 热处理温度对金锗薄膜电阻的影响被引量：1
- 2019年
- 金锗薄膜是作为电子器件欧姆电极的重要材料,真空热处理是降低欧姆电极接触电阻的重要方法.本文研究了基于PVD方法生长的Au_9Ge_1薄膜的表面形貌及其电阻与真空热处理温度之间的关系.研究发现,当真空热处理温度达到180°C时,薄膜表面开始出现由于锗原子的析出形成的零星小点.随着真空热处理温度的上升,锗原子的析出从分散的点逐渐转变成发散的雪花状,薄膜的电阻也随之出现明显下降.当真空热处理温度达到265°C时,薄膜电阻率达到最小值～2.0175Ω/mm.当真空热处理温度继续升高时,表层金原子开始团聚形成小岛状结核,同时薄膜电阻开始急剧增大.当真空热处理温度达到280°C时,薄膜电阻率达到～6.4×10~5Ω/mm,此时薄膜断电.相比于未经任何热处理的样品, 265°C的真空热处理能够将Au_9Ge_1薄膜电极的电阻率降低～50%.本研究工作为降低金锗合金电极的电阻率提供了一种有效的方法.
- 李玉智毛鑫石轩王春香赵洪泉王俊忠
- 关键词：真空热处理导电性能表面形貌
- 高效高精度低温激光扫描双聚焦显微系统
- 本发明涉及一套低温激光扫描双聚焦显微系统的设计和制作。该设计和制作包括五个主要部分：I外场输入；II低温致冷腔；III光子收集；IV光谱/单光子检测；V系统自动控制。系统主要技术性能指标包括：①真空极限荧光收集率；②振幅...
- 赵洪泉石轩马勇任昌亮
- 文献传递
- Y掺杂WS_(2)二维材料的第一性原理研究
- 2022年
- WS_(2)由于其优异的物理和光电性质引起了广泛关注。本研究基于第一性原理计算方法,探索了本征单层WS_(2)及不同浓度W原子替位钇(Y)掺杂WS_(2)的电子结构和光学特性。结果表明本征单层WS_(2)为带隙1.814 eV的直接带隙半导体。进行4%浓度(原子数分数)的Y原子掺杂后,带隙减小为1.508 eV,依旧保持着直接带隙的特性,随着Y掺杂浓度的不断增大,掺杂WS_(2)带隙进一步减小,当浓度达到25%时,能带结构转变为0.658 eV的间接带隙,WS_(2)表现出磁性。适量浓度的掺杂可以提高材料的导电性能,且掺杂浓度增大时,体系依旧保持着透明性并且在红外光和可见光区对光子的吸收能力、材料的介电性能都有着显著提高。本文为WS_(2)二维材料相关光电器件的研究提供了理论依据。
- 宁博张国欣闫冰赵杨石轩赵洪泉
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质光电器件
- SnS_(x)Se_(2-x)单晶纳米片的可控制备与表征
- 2022年
- 锡二硫族化合物可以通过改变硫和硒的含量来连续调控三元合金材料的带隙、载流子浓度等物理化学性质,在电子和光电子器件应用上具有巨大的潜力。本文采用化学气相沉积(CVD)技术可控地制备了不同元素组分的SnS_(x)Se_(2-x)(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0,1.2,1.5,1.8,2.0)单晶纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱等手段对SnS_(x)Se_(2-x)纳米片进行了综合表征。结果表明本方法成功实现了元素百分比可调的SnS_(x)Se_(2-x)单晶纳米片的可控制备。重点研究了依赖于元素百分比的SnS_(x)Se_(2-x)的拉曼特征谱,实验结果与基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算得到的SnS_(x)Se_(2-x)的拉曼仿真谱高度吻合,理论计算结果较好地诠释了实验拉曼光谱发生变化的原因。本研究提供了一种元素百分比可调的三元SnS_(x)Se_(2-x)单晶纳米片的可控制备方法,同时对锡二硫族化合物的明确、无损识别提供了方案。
- 张国欣宁博赵杨刘绍祥石轩赵洪泉
- 关键词：单晶纳米片三元合金
- 一种组分连续调控二维材料Mo<Sub>1-x</Sub>W<Sub>x</Sub>S<Sub>2</Sub>的CVD生长方法
- 本发明涉及二维材料制备技术领域，具体涉及一种组分连续调控二维材料Mo<Sub>1‑x</Sub>W<Sub>x</Sub>S<Sub>2</Sub>的CVD生长方法，包括按比例称量硫源、钨源、钼源和生长促进剂；将硫源平铺...
- 黄祖强赵洪泉石轩
- 高效高精度低温激光扫描双聚焦显微系统
- 本发明涉及一套低温激光扫描双聚焦显微系统的设计和制作。该设计和制作包括五个主要部分：I外场输入；II低温致冷腔；III光子收集；IV光谱/单光子检测；V系统自动控制。系统主要技术性能指标包括：①真空极限荧光收集率；②振幅...
- 赵洪泉石轩马勇任昌亮
- Er掺杂WS_(2)的制备及光电特性研究
- 2023年
- 化学气相沉积(CVD)是大尺度二维材料生长的有效方法,但CVD过程不可避免地会产生高密度的空位缺陷,影响材料的光电性能。本文利用碱金属卤盐辅助CVD法直接在p型Si(111)衬底上生长了毫米尺度和原子层厚的WS_(2)。通过在钨源中掺入饱和ErCl3粉末,得到Er掺杂WS_(2)薄膜(WS_(2)(Er))。结合光学显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱、能量色散X射线光谱、光致发光和拉曼光谱等技术对材料进行表征,结果表明,相比纯WS_(2),WS_(2)(Er)薄膜的荧光强度获得数量级增长,且中心波长大幅红移。荧光测试表明,相比SiO_(2)衬底上的WS_(2),在Si衬底上生长的WS_(2)的荧光特性出现了明显的电荷转移效应。基于SiO_(2)衬底上的WS_(2)和WS_(2)(Er)场效应晶体管器件的光电测试结果表明,WS_(2)(Er)场效应晶体管的光响应度为4.015 A/W,外量子效率为784%,均是同等条件下纯WS_(2)器件的2000倍以上。本工作对稀土掺杂二维材料的研究具有一定的参考意义。
- 曹晟张锋刘绍祥陈思凯赵杨石轩赵洪泉
- 关键词：化学气相沉积铒掺杂单晶硅荧光特性光电特性
