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秦金

作品数:23 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学技术大学更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 22篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇雪崩
  • 7篇光电
  • 7篇二极管
  • 6篇扩散
  • 6篇掺杂
  • 5篇雪崩光电二极...
  • 5篇光电二极管
  • 4篇芯片
  • 4篇晶圆
  • 4篇掺杂剂
  • 3篇细胞
  • 3篇局域
  • 3篇焦深
  • 3篇光刻
  • 3篇过渡层
  • 3篇暗电流
  • 2篇电场
  • 2篇电离
  • 2篇电信
  • 2篇电信号

机构

  • 23篇中国科学技术...

作者

  • 23篇秦金
  • 22篇王亮
  • 9篇张博健
  • 4篇许凯
  • 3篇李晨晖
  • 3篇郭松坡
  • 3篇丁立
  • 2篇张亮
  • 1篇何伟

年份

  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 10篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种对准光栅组及其光栅的制作方法
本申请提供了一种对准光栅组,包括:设置于模板上的第一光栅和设置于晶圆上的第二光栅,所述第一光栅与所述第二光栅相对设置;所述第一光栅的光栅底部覆盖折射层,所述折射层的折射率大于1.5。提高了所述光栅组的衍射效率,增大所述第...
王亮秦金丁立
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一种P型掺杂与非掺杂芯片的刻蚀方法及装置
一种P型掺杂与非掺杂芯片的刻蚀方法,包括:S1,在P型掺杂与非掺杂芯片上设置研磨线;S2,将设有研磨线的平面垂直设于研磨液上方并使研磨线与研磨液表面平行,并将P型掺杂与非掺杂芯片研磨至研磨线处;S3,将步骤S2中所得研磨...
王亮秦金
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一种雪崩二极管电场的计算方法
一种雪崩二极管电场的计算方法,雪崩二极管由上至下依次包括倍增层、电荷层、过渡层、吸收层以及缓冲层,方法包括:S1,确定倍增层、电荷层、过渡层、吸收层以及缓冲层的每层的厚度、介电常数和掺杂浓度;S2,根据厚度、介电常数以及...
王亮张博健秦金
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一种检测生物分子的装置及方法
本发明涉及生物分子检测领域,基于薄膜干涉和旋转扫描成像技术提供了检测生物分子的装置及方法。本发明所述检测生物分子的装置结构简单,可操作性强。本发明所述检测方法,无需对待测生物分子进行富集、挑选、染色,不需要应用复杂的生物...
秦金郭松坡王亮丁立李晨晖
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应用于近场扫描光刻的高精度被动对准的柔性台
本发明公开了一种应用于近场扫描光刻的高精度被动对准的柔性台,包括上端台面、下端台面、基底,上端台面与下端台面之间通过双正交柔性铰链连接,掩膜通过真空吸附腔吸附在下端台面上,再放置在基底上。双正交柔性铰链包括两个正交的正圆...
王亮张亮秦金谭浩森许凯
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一种长工作距离的等离激元纳米光刻方法
本发明提供了一种长工作距离的等离激元纳米光刻方法,包括:A)制备领结光刻头部;B)制备曝光衬底;C)将领结光刻头部与曝光衬底紧密接触,即为领结光刻头部的第一银膜层与曝光衬底的光刻胶层紧密接触;D)将采用激光光源,经起偏器...
王亮秦金罗慧雯
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雪崩光电二极管及制备方法
一种雪崩光电二极管,应用于光电探测器技术领域,在衬底上依次外延生长包括缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层、帽层和电极接触层,电极接触层的材料为InGaAsP,且电极接触层为外延生长的本征的渐变组分材料,通过锌扩散等P型掺杂剂...
王亮张博健秦金何伟
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一种雪崩光电二极管扩散结构、制备方法及二极管器件
本发明提供了一种雪崩光电二极管扩散结构、制备方法及二极管器件。所述扩散结构包括:中心圆形有源区(1)、直径大于所述有源区(1)直径,并且直径依次增大的第一保护环区(2)和第二保护环区(3)、与所述第二保护环区(3)间隔预...
王亮张博健秦金
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雪崩光电二极管扩散结构的制备方法及二极管扩散结构
本发明提供了雪崩光电二极管扩散结构的制备方法及二极管扩散结构。所述方法包括:在雪崩光电二极管的外延片上,在第一光刻掩膜的作用下,进行第一次掺杂剂扩散,得到中心圆形扩散主结区(1)和与所述扩散主结区间隔预设距离的扩散槽区(...
王亮张博健秦金
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待光刻基板、光刻模板、近场扫描光刻方法及装置
本发明公开了一种待光刻基板、光刻模板、近场扫描光刻方法及装置,在待光刻基板中设置第一双曲色散材料层,该第一双曲色散材料层位于第一基底与光刻胶之间,可以限制通过光刻胶层的局域光场的发射,在光刻模板中设置第二双曲色散材料层,...
王亮秦金罗慧雯
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共3页<123>
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