介绍了锗掺杂浓度为(1～1.5)×1019cm-3的10Ω·cm磁控直拉单晶硅衬底上BSFR(back surface field and reflection)和BSR(back surface reflection)太阳电池的制备和电性能.BSR锗掺杂单晶硅太阳电池的AM0效率最高为12.3%.BSFR锗掺杂单晶硅太阳电池的AM0效率达到15%.利用1MeV的高能电子对制备的锗掺杂单晶硅太阳电池进行了辐照实验.作为对比,对全部常规10Ω·cm的CZ单晶硅太阳电池也进行了实验.结果表明,锗掺杂浓度为(1～1.5)×1019cm-3的磁控直拉单晶硅太阳电池的电性能和抗辐照性能与常规直拉硅太阳电池基本相同.利用锗掺杂磁控直拉单晶硅片机械强度较高的优点,可以降低太阳电池生产过程破损率.
