傅颖洁
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种重掺衬底上生长硅外延层的工艺研究被引量：1
- 2020年
- 随着肖特基势垒二极管对反向击穿电压一致性指标要求的进一步严格,对所需重掺衬底的硅外延层厚度和电阻率参数的均匀性指标提出了更高的要求。同时,为满足肖特基势垒二极管低正向压降的性能,对外延层过渡区宽度的控制难度加大。使用PE-2061S桶式外延炉,通过综合采取低温本征法、变流吹扫及低速外延沉积等工艺手段,成功实施了重掺衬底上窄过渡区硅外延层的生长工艺,硅外延层厚度和电阻率不均匀性均达到<1.5%的要求,而且过渡区宽度可以<1.6μm。
- 傅颖洁李明达
- 关键词：肖特基二极管一致性硅外延层过渡区
- 高阻外延层电阻率均匀性控制技术分析被引量：1
- 2012年
- 随着高频大功率器件的广泛应用,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是外延层电阻率。为了提高器件的工作频率与工作电压,要求外延层电阻率要高,电阻率均匀性要好。而高阻外延层的电阻率由于受到自掺杂与系统杂质的影响,很难获得好的电阻率均匀性。通过对外延生长过程中杂质的引入,以及不同杂质的来源及特点进行深入分析,针对不同杂质来源的控制提出有效的解决方法,保障了生长出电阻率均匀性好的高阻外延层。
- 殷海丰傅颖洁陈涛
- 关键词：材料加工工程外延层自掺杂电阻率
- 薄层高阻硅外延制备工艺研究被引量：1
- 2020年
- 轻掺硅外延层/重掺衬底结构作为现代电力电子器件的关键基础材料,其厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关。通常基于重掺衬底的轻掺硅外延层,电阻率比厚度数值至少会低1个数量级,可以有足够的反应时间爬升到稳定轻掺态。但在特定的应用领域,所需外延层电阻率高于厚度数值2倍以上,并且要求电阻率、厚度参数控制精确。传统外延工艺中电阻率受自掺杂影响,爬升速率缓慢,均匀性始终不能达到预期目标。基于外延掺杂机理,通过设计低温外延生长、基座包硅等多种手段,可有效抑制系统自掺杂干扰,实现了硅外延层厚度不均匀性<1.5%,电阻率不均匀性<2%的研制目标。
- 傅颖洁李明达
- 关键词：硅外延薄层高阻
