彭文斌
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- PbTiO3铁电薄膜快速退火后结晶特性研究
- 铁电薄膜具有良好的铁电性能以及压电、热释电、电光、声光、热光、光折变、倍频效应等性能。在光电子器件、红外探测器、永久性存储器及微机械器件等方面获得了广泛的应用。现已发展了众多的铁电薄
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- 关键词：铁电薄膜快速退火
- 文献传递
- 多离子束反应溅射室温沉积PbTiO3薄膜的结晶性能
- 为了将铁电薄膜与半导体器件集成,发展了新的铁电薄膜制备技术。快速退火(RTP)由于可以降低铁电薄膜的制备温度、改善铁电薄膜与半导体器件兼容性质,因而倍受人们的关注。用多离子束反应共溅射装置在室温下制备了 PbTiO薄膜,...
- 朱建国彭文斌张文陈猛肖定全兰发华
- 文献传递
- 多离子束反应溅射室温沉积PbTiO_3薄膜的结晶性能被引量：2
- 1997年
- 为了将铁电薄膜与半导体器件集成，发展了新的铁电薄膜制备技术。快速退火（ＲＴＰ）由于可以降低铁电薄膜的制备温度、改善铁电薄膜与半导体器件兼容性质，因而倍受人们的关注。用多离子束反应共溅射装置在室温下制备了ＰｂＴｉＯ３薄膜，样品经ＲＴＰ装置作退火处理，发现ＰｂＴｉＯ３薄膜可以在多晶或非晶层上生长。
- 朱建国彭文斌张文陈猛肖定全兰发华
- 关键词：铁电薄膜半导体溅射法
- 金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型(Ⅰ)——模型建立
- 1996年
- 针对作者发明的多离子束反应共溅射技术,基于气体动力学原理,在稳恒溅射情况下,建立了多离子束多靶反应共溅射的基本模型,获得了薄膜沉积速率和薄膜成分与反应共溅射工艺参数之间的关系.该模型揭示了影响薄膜成分的本质参量.基于该模型,提出了调控溅射速率及薄膜成分的途径与方法.
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- 关键词：金属氧化物反应溅射
- 金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型(Ⅱ)——数值计算与结果讨论
- 1996年
- 结合实验中的工艺技术参数,以Pb,Ti两金属靶的反应共溅射为例,对我们提出的金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型进行数值计算,分别得出了各靶的溅射速率R,反应腔中反应气体分压p以及衬底Pb,Ti的金属单质和氧化物所占的有效面积百分比与反应共溅射中直接可调的物理量,即反应气体总量Q和溅射离子束流J的关系.计算结果表明,该模型揭示了反应溅射具有滞回效应的本质特征,反映了反应共溅射中相关参数的相互影响与相互耦合的特点,给出了薄膜中组分原子百分比及其氧化物的形态与溅射工艺的关系,指出了多离子束反应共溅射中稳恒溅射的调控途径和方法.该模型的数值计算结果均与已有的实验结果相符合.
- 肖定全韦力凡李子森朱建国钱正洪彭文斌
- 关键词：金属氧化物反应溅射
