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王翔

作品数：7 被引量：14H指数：3
供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇硬盘
  • 2篇介质
  • 2篇记录介质
  • 2篇溅射
  • 2篇磁记录
  • 2篇磁记录介质
  • 1篇调制
  • 1篇性能研究
  • 1篇硬盘技术
  • 1篇优化设计
  • 1篇入射
  • 1篇入射角
  • 1篇特性分析
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振特性
  • 1篇系统研制
  • 1篇小波
  • 1篇小波变换
  • 1篇基于小波变换
  • 1篇计算机

机构

  • 7篇华中理工大学
  • 1篇武汉科技大学

作者

  • 7篇王翔
  • 4篇李佐宜
  • 3篇蔡长波
  • 3篇王可
  • 2篇易开军
  • 2篇林更琪
  • 2篇胡煜
  • 1篇胡用时
  • 1篇熊锐
  • 1篇胡作启
  • 1篇曹汉强
  • 1篇谭萍
  • 1篇于军
  • 1篇朱光喜
  • 1篇朱全庆
  • 1篇李震
  • 1篇朱耀庭
  • 1篇杨晓非
  • 1篇谭立国

传媒

  • 3篇信息记录材料
  • 1篇中国图象图形...
  • 1篇材料导报
  • 1篇武汉科技大学...
  • 1篇磁性材料及器...

年份

  • 1篇2001
  • 5篇2000
  • 1篇1997
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
硬盘磁记录介质的现状与发展被引量：3
2000年
讨论了现有介质、新介质的材料与结构,以及其工艺技术的现状。并展望了高密度硬盘磁记录介质的未来。指出高密度、高信噪比S/N的硬盘介质要求有高的矫顽力和小的磁记录畴。
王翔蔡长波王可
关键词：硬盘磁记录介质溅射
SmCo／Cr磁性薄膜的工艺与性能被引量：4
2001年
通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介 质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果表明，Sm含量在31.6％ atm,Cr缓冲层为66 nm， Sm(CoAlSi)5磁性层为30 nm等条件下，制得的Sm(CoAlSi)5/Cr薄膜的矫顽力(Hc)为187.8 kA/ m(2.36 kOe)，矩形比( S=Mr/Ms)≈0.94；在500℃保温25 min退火后，矫顽力(Hc)达1042.5 kA/m(13.1 kOe)，矩形比(S)≈O.92。
Hu YongshiWang XiangLi ZuoyiLin Gengqi胡用时王翔李佐宜林更琪
关键词：矫顽力磁性能磁控溅射磁性薄膜磁记录介质
光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究被引量：1
2000年
本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。
王可李佐宜胡作启林更琪熊锐杨晓非李震王翔易开军朱全庆胡煜
关键词：光调制
磁光记录薄膜的偏振特性分析被引量：1
2000年
光线入射至磁光记录薄膜表面时，由于其入射角和方位角不同，导致磁光薄膜的偏振特性有较大变化，本文运用电磁场理论，对磁光记录薄膜偏振特性随入射角和方位角变化进行了分析。
王可蔡长波李佐宜谭立国王翔胡煜
关键词：偏振特性入射角方位角
硬盘技术现状及发展趋势被引量：1
2000年
蔡长波王翔于军
关键词：硬盘技术计算机
智能磁光仪的盘温测控系统研制
2000年
介绍了磁光静态磁参数测量用盘温控制系统的软硬件。硬件部分以 80 3 1单片机为核心 ,包括数据采集、测量处理的温度控制部分 ,并利用单片机和上位机之间的双向通讯功能实现温度设定及显示 ;软件部分采用C语言和 MCS5 1汇编语言编制。控温范围为 (0～ 1 0 0 )℃ ,控温精度为± 0 .8℃。
王翔易开军李佐宜谭萍陆军
关键词：磁光盘优化设计
一种基于小波变换的FBM图象生成方法被引量：4
1997年
提出了一种基于小波变换的ＦＢＭ图象生成方法，实验证明这种基于小波变换的生成方法比传统的ＲＭ－ＤＡ方法和Ｆｏｕｒｉｅｒ方法能更精确地生成二维ＦＢＭ图象。
曹汉强朱光喜朱耀庭王翔
关键词：分形小波变换
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