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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 3篇多晶硅薄膜
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇晶体管
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 1篇低温晶化
  • 1篇多晶硅TFT
  • 1篇液晶
  • 1篇液晶显示
  • 1篇液晶显示器
  • 1篇氢化工艺
  • 1篇显示器
  • 1篇金属
  • 1篇金属诱导
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇SPC
  • 1篇AMLCD

机构

  • 4篇华中理工大学
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 4篇徐重阳
  • 4篇饶瑞
  • 3篇周雪梅
  • 3篇赵伯芳
  • 3篇王长安
  • 3篇曾祥斌
  • 1篇张洪涛

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2001
  • 3篇2000
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究被引量:4
2001年
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响 ,确定了所制备的是多晶硅薄膜。
饶瑞徐重阳王长安赵伯芳周雪梅曾祥斌
关键词:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化多晶硅薄膜
多晶硅薄膜材料与器件研究进展被引量:6
2000年
多晶硅薄膜材料一直在半导体领域中扮演着重要角色。综述了多晶硅薄膜材料及其器件的特点、制备方法及研究进展。
饶瑞徐重阳
关键词:多晶硅薄膜CVDSPC
多晶硅薄膜的等离子氢化新工艺被引量:1
2000年
根据多晶硅薄膜氢化的微观机理 ,提出改进氢化效果的工艺方法。在不增加设备投资的情况下 ,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果 ,从而提高薄膜晶体管的性能 ,ION/ IOFF从1 0 3量级增加到 1 0 5量级 ,氢化工艺的处理时间也相应缩短。
曾祥斌徐重阳JohnnyK.O.Sin王长安赵伯芳周雪梅张洪涛饶瑞
关键词:多晶硅薄膜氢化工艺薄膜晶体管
多晶硅TFT及其在AMLCD中的应用被引量:4
2000年
多晶硅薄膜晶体管目前是大面积微电子学领域中最热门的研究课题之一 ,它以其独特的优点 ,在液晶显示领域中扮演着重要角色。简要介绍了多晶硅薄膜晶体管的结构、器件特性以及在有源矩阵液晶显示器中的应用。
饶瑞徐重阳王长安曾祥斌赵伯芳周雪梅
关键词:多晶硅薄膜晶体管液晶显示器AMLCD
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