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张振江

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇空位缺陷
  • 1篇电学性能
  • 1篇石墨烯纳米带
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米带

机构

  • 2篇东南大学

作者

  • 2篇张振江
  • 1篇孙立涛
  • 1篇胡小会

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
空位缺陷对石墨烯纳米带能带结构的影响
张振江
单空位缺陷诱导的扶手椅型石墨烯纳米带电学性能的转变被引量：2
2013年
本文基于密度泛函理论的第一性原理计算了单空位缺陷对扶手椅型石墨烯纳米带电学特性的影响.计算结果表明:当单空位位于纳米带边缘位置时,系统结构最稳定.不同位置上单空位缺陷的引入都会使得原本为半导体的本征扶手椅型石墨烯纳米带变成金属性;随着单空位浓度的减小,其对纳米带能带结构的影响逐渐减弱;随着纳米带宽度的增大,表征其金属性的特征值表现出震荡性的减弱.单空位缺陷诱导的扶手椅型纳米带的半导体特性到金属特性的转变为石墨烯在电子器件中的应用提供了理论指导.
张振江胡小会孙立涛
关键词：电学性能
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共1页<1>
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