陈嘉
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：华中科技大学图像识别与人工智能研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种BiCMOS带隙基准电压源的设计被引量：3
- 2006年
- 设计了低温度系数、高电源抑制比BiCMOS带隙基准电压发生器电路．综合了带隙电压的双极型带隙基准电路和与电源电压无关的电流镜的优点．电流镜用作运放，它的输出作为驱动的同时还作为带隙基准电路的偏置电路．使用0．6μm双层多晶硅n-well BiCMOS工艺模型，利用Spectre工具对其仿真。结果显示当温度和电源电压变化范围分别为-45～85℃和4．5～5．5V时，输出基准电压变化1mV和0．6mV；温度系数为16×10^-5／℃；低频电源抑制比达到75dB．电路在5V电源电压下工作电流小于25μA．该电路适用于对精度要求高、温度系数低的锂离子电池充电器电路．
- 应建华彭颖陈嘉
- 关键词：带隙基准电压源低温度系数
- 一种新颖的自偏置有源负载放大器
- 2008年
- 利用自偏置电流源闭环反馈改变开环电阻的特性,设计了一种自偏置有源负载运算放大器,实现了低功耗、高开环增益、低输入失调的性能;并将此运算放大器应用于带隙电压源中。电路在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现。芯片实测结果验证了设计的正确性和新颖性。
- 钱江桑红石陈嘉
- 关键词：运算放大器模拟集成电路
- 低功耗高抗噪性差分基准电压源的设计
- 2007年
- 提出了一种新颖的差分放大器拓扑结构,适用于单片集成模数转换器中的差分电压基准源。该结构经过电压、电流两级放大,实现了高开环增益和大电流驱动能力。本设计在德国XFAB公司的0.35μm CMOS工艺上实现,芯片实测结果为:在3.3 V电源电压下,该基准源的抗噪性为120 dB@80 MHz,增益误差小于2 mV,功耗仅为1.1 mW,具有低功耗、高精度和高抗噪性能。
- 应建华王洁陈嘉
- 低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计被引量：6
- 2007年
- 提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.
- 应建华陈嘉王洁
- 关键词：基准电压源低功耗电源抑制比
