您的位置: 专家智库 > >

何健

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重大科学仪器设备开发专项国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇载流子
  • 1篇导引
  • 1篇动态模型
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇增益系数
  • 1篇折射率
  • 1篇折射率变化
  • 1篇阵列
  • 1篇抛物面
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振相关
  • 1篇染料激光
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压印
  • 1篇截顶
  • 1篇抗反射
  • 1篇激光
  • 1篇激光系统
  • 1篇光放大
  • 1篇光放大器

机构

  • 4篇华中科技大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇华中理工大学
  • 1篇武汉光迅科技...

作者

  • 4篇何健
  • 1篇崔俊
  • 1篇徐智谋
  • 1篇刘世元
  • 1篇缪庆元
  • 1篇黄德修
  • 1篇吴大进
  • 1篇何平安
  • 1篇刘德明
  • 1篇孙堂友
  • 1篇张铮
  • 1篇徐海峰
  • 1篇张学明

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇华中理工大学...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2005
  • 1篇1996
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
硅表面抗反射纳米周期阵列结构的纳米压印制备与性能研究被引量:5
2013年
硅表面固有的菲涅耳反射,使得硅基半导体光电器件(如太阳能电池、红外探测器)表面有30%以上的入射光因反射而损失掉,严重影响着器件的光电转换效率.寻找一种方法降低硅基表面的反射率,进而提高器件的效率成为近年来研究的重点.本文基于纳米压印光刻技术,在2英寸单晶硅表面制备出周期530nm,高240nm的二维六角截顶抛面纳米柱阵列结构.反射率的测试表明,当入射光角度为8°时,有纳米结构的硅片相对于无纳米结构的硅片来讲,在400到2500nm波长范围内的反射率有很明显的降低,其中,800到2000nm波段的反射率都小于10%,在波长1360nm附近的反射率由31%降低为零.结合等效介质理论和严格耦合波理论对结果进行了分析和验证.
张铮徐智谋孙堂友何健徐海峰张学明刘世元
关键词:纳米压印抗反射
载流子导引的折射率变化偏振相关性研究
2012年
分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响.综合调配以上参数得到1530—1570 nm波长范围内同时具有大的折射率变化量(10^(-2)量级)和折射率变化低偏振相关(10^(-4)量级)的量子阱结构.研究表明,不同的调配参数组合可以得到同一波长范围内基本一致的折射率变化谱.
缪庆元崔俊胡蕾蕾何健何平安黄德修
关键词:折射率变化偏振相关
统一展开理论应用于激光系统中的精度问题
1996年
通过提高推导过程中精度的办法得到了更完善的统一展开理论(UET),且用更完善的UET具体计算了单模染料激光色损失模型的光强定态几率分布。
何健吴大进
关键词:染料激光光强激光系统
半导体光放大器中载流子浓度动态变化规律研究
半导体光放大器(SOA)在未来的光通信网络中的一个重要的作用是利用 SOA中的载流子浓度的变化规律来实现各种全光信号处理功能。SOA中的载流子浓度动态数值分析是器件功能应用的重要基础。本文建立了能反映SOA中的载流子浓度...
何健徐聪刘德明
关键词:半导体光放大器增益系数动态模型载流子浓度
文献传递
共1页<1>
聚类工具0