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一步法制备SnO_2/氧化石墨复合薄膜及其光电性能研究: 2016年; 氧化锡是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,有着优异的光电性能,高化学和机械稳定性。氧化石墨烯(GO,Graphite Oxide)具有成本低、能级结构可调、易于加工等优点,可作为光电转换材料应用于光伏器件中。本文以研究氧化锡/氧化石墨烯复合薄膜的光电性能为出发点,使用共沉积的方法在ITO上制备出不同的SnO_2/r GO复合薄膜,研究复合薄膜的光电转换性能。; 刘晓军; 关键词：氧化石墨光电性能氧化锡电沉积法

一步法低温沉积SnO_2: 2017年; SnO_2是n型宽带隙半导体,禁带宽度约为3.5~4e V,在可见光及近红外光区透射率约为80%,折射率约为2,消光系数趋近零。SnO_2的载流子主要来自晶体中存在的缺陷,本征态SnO_2主要是氧空位或间隙锡离子引入施主能级提供导电电子。为了提高二氧化锡的导电性,通常掺杂一些元素,F掺杂在SnO_2禁带中引入施主能级,提供导电电子。本文采用阳极氧化沉积方法低温一步法沉积出SnO_2。; 刘晓军贺蕴秋

一步法制备SnO_2/氧化石墨复合薄膜及其光电性能研究: 2016年; 氧化锡是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,有着优异的光电性能,高化学和机械稳定性。氧化石墨烯(GO,Graphite Oxide)具有成本低、能级结构可调、易于加工等优点,可作为光电转换材料应用于光伏器件中。本文以研究氧化锡/氧化石墨烯复合薄膜的光电性能为出发点,使用共沉积的方法在ITO上制备出不同的SnO_2/rGO复合薄膜,研究复合薄膜的光电转换性能。; 刘晓军; 关键词：氧化石墨光电性能氧化锡电沉积法

餐饮预订一体机系统设计与实现: 俗话说“民以食为天”，在当前全球经济不景气的情况下，国内的餐饮行业越来越面临诸多挑战。人们的生活一直以来密切与餐饮行业相关，目前我国餐饮业多是以中小型餐饮企业为主，是一个集中度很低的行业，信息化水平也较低。中小型餐饮企业...; 刘晓军; 关键词：ANDROID平台混合编程 UML类图

氧化石墨烯在氧化锌衬底上的电化学还原及其光电性能被引量：1: 2017年; 采用阳极电泳法,在氧化锌(ZnO)衬底上沉积氧化石墨烯(GO)以形成GO-ZnO双层复合膜;采用阴极恒电位法,对复合膜上的GO进行还原。对不同还原时间的GO,通过X射线光电子能谱(XPS),傅里叶变换红外(FTIR)光谱,场发射扫描电子显微镜(FESEM)等手段对其结构变化进行表征,采用紫外-可见(UV-Vis)分光光度法和电化学测试手段对其能级演变进行考察,并对两者的对应关系进行了讨论。研究发现,当GO膜达到最大还原态后,随还原时间增加还会出现进一步的结构转变,并最终碎裂生成边缘羧基增多的小尺寸GO。GO能隙均减小至可见光范围,其能级位置及半导体极性也产生了不同的改变。由对复合膜的光电化学测试可见,除1800 s GO能级不再与ZnO匹配外,60 s到600 s GO-ZnO复合膜均可作为阳极光电极进行太阳光电转换。对光电性能差异的讨论则可得,GO膜碎裂造成叠层形貌向无序形貌的转变有利于光电转换性能的提升。; 李一鸣陈肖刘晓军李文有贺蕴秋; 关键词：电化学还原光电转换

Sb掺杂ZTO透明导电薄膜的结构和性能: 2017年; 采用溶胶凝胶法和旋涂法制备Sb掺杂钙钛矿结构ZTO(ZnSnO_3)透明电薄膜,并借助XRD、SEM、XPS、UV-Vis和Hall效应测试等手段研究了其结构和性能。比较了Sb离子单独置换ZnSnO_3晶体中的Zn2+或Sn4+,以及同时置换Zn2+和Sn4+等3种置换方式所得薄膜的结晶状态,分析了不同置换方式形成的薄膜中Sb离子实际占有的晶格位置,以及Sb5+与Sb^(3+)的比例变化。探讨了不同置换方式晶体中氧空位(VO)、锌间隙(Zni)和锡离子变价(SnSn″)等结构缺陷相应的含量变化,并研究Sb离子掺杂浓度对薄膜晶体结构、结构缺陷和电阻率的影响。研究表明,3种置换方式的Sb掺杂ZTO薄膜均保持单一ZnSnO_3晶相,并且Sb离子均按设计的方案进入了相应的晶格位置,但不同置换方式的薄膜中,Sb5+与Sb^(3+)的比例不同,并且会随Sb离子浓度增大而逐渐减小。研究证明Sb离子置换方式以及掺杂浓度均会显著影响薄膜中载流子的浓度和迁移率,从而影响其电性能。在所制备的薄膜中,Sb离子单独置换Zn2+且组成为Sb_(0.15)Zn_(0.35)Sn_(0.5)O_(1.5)的薄膜电阻率最低,为0.423Ω·cm。此外,所有Sb掺杂ZTO薄膜在360~800 nm波长范围内透过率均在78%以上。; 陈肖李一鸣刘晓军贺蕴秋; 关键词：溶胶凝胶法导电

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刘晓军