危阳
- 作品数:2 被引量:12H指数:1
- 供职机构:湖北工业大学理学院更多>>
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- 相关领域:理学更多>>
- 钙钛矿APbI3结构稳定性及光电性质的理论研究被引量:1
- 2017年
- 采用基于色散修正的平面波超软赝势方法研究了钙钛矿材料APbI_3结构中四种阳离子Cs^+,NH_4^+,MA^+,FA^+分别处于A位时,其结构的稳定性、电子结构及光学性质.研究结果显示受阳离子种类和尺寸的影响,PbI基体骨架发生不同程度的扭曲,A位置阳离子(除Cs^+外)半径越大,其与PbI基体骨架之间的作用力越强,在MAPbI_3和FAPbI_3中PbI_6八面体显示出较大的电偶极矩.计算得出的能带结构表明,四种体系在费米能级附近的能带相似,即价带顶均由I 5P轨道组成,导带底由Pb 6P轨道和部分I 5P轨道杂化而成.电子结构和光学性质的差异主要源于PbI_6八面体结构的扭曲.在四种结构体系中,CsPbI_3显示出最窄的直接带隙、最小载流子有效质量和较强的光吸收能力.这些结果可为进ー步深入研究钙钛矿材料在太阳能电池领域的应用提供理论指导.
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- 关键词:电子结构第一性原理
- 二硫化钼/石墨烯异质结的界面结合作用及其对带边电位影响的理论研究被引量:11
- 2017年
- 采用基于色散修正的平面波超软赝势方法研究了二硫化钼/石墨烯异质结的界面结合作用及其对电荷分布和带边电位的影响.研究表明二硫化钼与石墨烯之间可以形成范德瓦耳斯力结合的稳定堆叠结构.通过能带结构计算,发现二硫化钼与石墨烯的耦合导致二硫化钼成为n型半导体,石墨烯转变成小带隙的p型体系.并通过电子密度差分图证实了界面内二硫化钼附近聚集负电荷,石墨烯附近聚集正电荷,界面内形成的内建电场可以抑制光生电子-空穴对的复合.石墨烯的引入可以调制二硫化钼的能带,使其导带底上移至-0.31 eV,提高了光生电子还原能力,有利于光催化还原反应.
- 危阳马新国祝林贺华黄楚云
- 关键词:二硫化钼第一性原理