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刘中流

作品数:12 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇原子
  • 4篇电子学
  • 3篇低维材料
  • 3篇石墨
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米电子
  • 3篇晶体
  • 2篇电学
  • 2篇电学性质
  • 2篇电子器件
  • 2篇电子束
  • 2篇调制
  • 2篇调制方法
  • 2篇新型材料
  • 2篇型材
  • 2篇三明治
  • 2篇碳基
  • 2篇拼图
  • 2篇重排
  • 2篇柱型

机构

  • 12篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 12篇王业亮
  • 12篇高鸿钧
  • 12篇刘中流
  • 8篇邵岩
  • 7篇武旭

传媒

  • 1篇物理

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种便携式多功能超高真空样品处理与制备装置
本发明公开了一种便携式多功能超高真空样品处理与制备装置,包含一活动小车,所述的活动小车内设有一机械泵和一分子涡轮泵,所述的分子涡轮泵的上方设有一分子泵接入腔,所述的分子泵接入腔的侧壁上设有一角阀,所述的分子泵接入腔的上方...
王业亮朱诗雨邵岩刘中流高鸿钧
一种锑烯二维原子晶体材料及其制备方法
本发明公开了一种锑烯二维原子晶体材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)在真空环境下,对单晶基底进行处理,得到干净平整的晶面;2)将适量高纯度锑原子蒸发沉积到单晶基底上,同时使单晶基底保持一预设的生长温度,以使沉积...
王业亮武旭邵岩刘中流高鸿钧
文献传递
一种具有条纹结构的过渡金属二硫属化合物及其制备方法
本发明公开了一种具有条纹结构的过渡金属二硫属化合物及其制备方法。其中,具有条纹结构的二硒化钒,不仅具有单层二硒化钒固有的硒钒硒三层原子构成的三明治层状结构,并且表面布满由线状硒空位等间距排列所构成的一维条纹。本发明在特定...
刘中流朱知力王业亮高鸿钧
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单元素二维原子晶体材料研究进展被引量:3
2017年
非碳元素构成的二维单质原子晶体材料,具有与石墨烯相似的单层结构和物理性质,对它们的研究有望发掘一些崭新的性能及相关的应用,是当前凝聚态物理及新材料等相关领域的重要研究方向之一。文章详细介绍了近几年发展起来的单一元素所形成的二维原子晶体材料,分别对其结构、物性、应用前景等方面的研究进展进行了综述介绍。
刘中流王业亮高鸿钧
关键词:结构特性
一种单层二硒化钒二维材料的制备方法
本发明公开了一种单层二硒化钒二维材料的制备方法,包括如下步骤:1)将石墨基底进行机械剥离,将剥离后的石墨基底在真空环境下进行预处理,得到表面干净平整的石墨基底;2)将预处理后的石墨基底加热至250‑300℃,然后将硒原子...
王业亮刘中流武旭邵岩高鸿钧
一种二硒化铂面内拼图结构材料及其制备与调制方法
本发明公开了一种二硒化铂(PtSe2)面内拼图结构材料,所述的二硒化铂(PtSe2)面内拼图结构材料同时包含两种构型:三棱柱型构型(H型)和八面体型构型(T型),且所述的三棱柱型构型(H型)和八面体型构型(T型)均形成三...
王业亮邵岩武旭朱诗雨王裕祺刘中流高鸿钧
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一种单层二硒化钒二维材料的制备方法
本发明公开了一种单层二硒化钒二维材料的制备方法,包括如下步骤:1)将石墨基底进行机械剥离,将剥离后的石墨基底在真空环境下进行预处理,得到表面干净平整的石墨基底;2)将预处理后的石墨基底加热至250‑300℃,然后将硒原子...
王业亮刘中流武旭邵岩高鸿钧
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一种便携式多功能超高真空样品处理与制备装置
本发明公开了一种便携式多功能超高真空样品处理与制备装置,包含一活动小车,所述的活动小车内设有一机械泵和一分子涡轮泵,所述的分子涡轮泵的上方设有一分子泵接入腔,所述的分子泵接入腔的侧壁上设有一角阀,所述的分子泵接入腔的上方...
王业亮朱诗雨邵岩刘中流高鸿钧
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一种利用石墨烯抑制铂表面的硒化反应以及控制单层二硒化铂生长的方法
本发明公开了一种利用石墨烯抑制铂表面的硒化反应以及控制单层二硒化铂生长的方法;在直接硒化法生长二硒化铂的过程中,通过向在真空中被加热至合适温度的铂(111)晶面上沉积硒原子,可以在铂的表面上外延生长单层的二硒化铂;本发明...
刘中流朱知力武旭王业亮高鸿钧
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一种锑烯二维原子晶体材料及其制备方法
本发明公开了一种锑烯二维原子晶体材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)在真空环境下,对单晶基底进行处理,得到干净平整的晶面;2)将适量高纯度锑原子蒸发沉积到单晶基底上,同时使单晶基底保持一预设的生长温度,以使沉积...
王业亮武旭邵岩刘中流高鸿钧
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共2页<12>
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