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张忠阳

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信医药卫生一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇硅衬底
  • 3篇衬底
  • 2篇等离子体
  • 2篇射孔
  • 2篇射频等离子体
  • 2篇射频源
  • 2篇石英管
  • 2篇浓盐酸
  • 2篇气体
  • 2篇重铬酸钾
  • 2篇铋化合物
  • 2篇冷阱
  • 2篇解理
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格失配
  • 2篇化合物
  • 2篇化学计量
  • 2篇化学计量比
  • 2篇缓冲层
  • 2篇交叉污染

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 11篇张忠阳
  • 10篇周志华
  • 10篇王志明
  • 10篇李含冬
  • 10篇姬海宁
  • 10篇李勇
  • 10篇牛晓滨
  • 8篇高磊
  • 8篇戴丽萍
  • 2篇巫江

年份

  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法
本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待...
李含冬张忠阳王志明任武洋李勇龙城佳周志华姬海宁牛晓滨
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硅基InSb薄膜外延集成生长研究
在已知的所有III-V族化合物半导体中,InSb具有最高的电子迁移率和最小的能带间隙。因为这些特性,InSb基材料特别适合用于红外探测器,高速器件和磁性传感器等方面的应用。本文采用分子束外延(MBE)方法在Si(111)...
张忠阳
关键词：分子束外延INSB缓冲层
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新型高效可活动射频等离子体放电管
本发明公开了一种新型高效可活动射频等离子体放电管，涉及等离子体的产生装置技术领域。包括主体与连接杆两部分，主体前端盖正中为一发射孔，主管体内后端盖中心为一放电锥垂直指向管体内部空间，连接杆前端为球形，后部为圆柱形。主体置...
李含冬李勇任武洋高磊张忠阳龙城佳姬海宁戴丽萍周志华牛晓滨王志明
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一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法
本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待...
李含冬张忠阳王志明任武洋李勇龙城佳周志华姬海宁牛晓滨
一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法
本发明公开了一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法，属于半导体材料技术领域，该装置包括管式炉(5)和石英管(1)，所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管...
李含冬龙城佳任武洋高磊张忠阳李勇姬海宁戴丽萍周志华牛晓滨王志明
文献传递
一种铋层状化合物超晶格的制备方法
本发明涉及一种铋层状化合物超晶格的制备方法，该方法通过对云母衬底进行常规化学清洗并在大气中进行解理后传入真空系统内加热去气；在清洁的云母表面依次生长由铋化合物薄层与垒层材料构成的超晶格薄膜。即首先在云母表面慢速沉积一层铋...
李含冬任武洋高磊张忠阳龙城佳李勇姬海宁戴丽萍周志华牛晓滨王志明
一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法
本发明公开了一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法，属于半导体材料技术领域，该装置包括管式炉(5)和石英管(1)，所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管...
李含冬龙城佳任武洋高磊张忠阳李勇姬海宁戴丽萍周志华牛晓滨王志明
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一种硒化铋材料的化学刻蚀方法
本发明涉及一种硒化铋材料的化学刻蚀方法，其包括以下步骤：(1)制作掩膜：所述掩膜为光刻掩膜，其使用标准光刻技术制作，附着于硅衬底上的硒化铋材料之上；(2)配制刻蚀剂：所述刻蚀剂为重铬酸钾复合酸溶液，其配制方法为，由以下组...
李含冬张忠阳高磊任武洋李勇龙城佳姬海宁戴丽萍周志华巫江牛晓滨王志明
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一种铋层状化合物超晶格的制备方法
本发明涉及一种铋层状化合物超晶格的制备方法，该方法通过对云母衬底进行常规化学清洗并在大气中进行解理后传入真空系统内加热去气；在清洁的云母表面依次生长由铋化合物薄层与垒层材料构成的超晶格薄膜。即首先在云母表面慢速沉积一层铋...
李含冬任武洋高磊张忠阳龙城佳李勇姬海宁戴丽萍周志华牛晓滨王志明
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一种硒化铋材料的化学刻蚀方法
本发明涉及一种硒化铋材料的化学刻蚀方法，其包括以下步骤：(1)制作掩膜：所述掩膜为光刻掩膜，其使用标准光刻技术制作，附着于硅衬底上的硒化铋材料之上；(2)配制刻蚀剂：所述刻蚀剂为重铬酸钾复合酸溶液，其配制方法为，由以下组...
李含冬张忠阳高磊任武洋李勇龙城佳姬海宁戴丽萍周志华巫江牛晓滨王志明
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