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张志勤

作品数：14 被引量：3H指数：1
供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信文化科学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇文化科学

主题

  • 7篇外延片
  • 6篇衬底
  • 5篇电阻率
  • 4篇薄层
  • 3篇外延层
  • 3篇硅外延
  • 2篇单片
  • 2篇多晶
  • 2篇英寸
  • 2篇平整度
  • 2篇校准
  • 2篇校准方法
  • 2篇均匀性
  • 2篇击穿电压
  • 2篇光谱
  • 2篇过渡区
  • 2篇红外
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光谱
  • 2篇红外光谱仪

机构

  • 14篇河北普兴电子...

作者

  • 14篇张志勤
  • 10篇薛宏伟
  • 7篇袁肇耿
  • 6篇陈秉克
  • 6篇赵丽霞
  • 4篇张佳磊
  • 3篇吴会旺
  • 2篇贾松
  • 2篇王刚
  • 2篇王铁刚
  • 1篇高淑红

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
重掺磷衬底薄层外延过渡区的调控方法
本发明公开了一种重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，涉及外延层的生长方法技术领域。所述方法包括如下步骤：固定衬底外延生长时单片外延生长系统的温度和TCS流量；在衬底外延生长时，CAP层生长和外延层生长使用相同的掺杂工艺...
张志勤
文献传递
红外光谱仪测量外延层厚度的校准方法及校准片
本发明提供一种红外光谱仪测量外延层厚度的校准方法及校准片，其中，校准方法包括采用红外光谱仪测定目标标准片的实测外延厚度；基于目标标准片的实测外延厚度、红外光谱仪的预设的拟合线性方程，确定目标标准片的拟合厚度；其中，拟合线...
张佳磊杜国杰任丽翠薛宏伟张志勤
重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法
本发明公开了一种重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法，涉及外延层的生长方法技术领域。所述方法包括如下步骤：固定衬底外延生长时单片外延生长系统的温度和TCS流量；在衬底外延生长时，CAP层生长和外延层生长使用相同的掺杂工艺...
张志勤
文献传递
P+衬底上本征层的生长方法
本发明公开了一种P+衬底上本征层的生长方法，涉及本征层的生长方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在P+衬底上生长10微米的第一本征硅层，在第一本征硅层的上表面外延生产第一外延层，外延后清洗表面消除第一外延层表面的氧化层；...
侯志义陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟张志勤贾松任丽翠
文献传递
基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法
本发明公开了一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置；将处理后的所述外延片在纯水...
张佳磊薛宏伟张志勤王铁刚
8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及应用
本发明公开了一种8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及在低压MOS器件中的应用，属于半导体外延材料的制备技术领域，外延片厚度在20um以内，电阻率在0‑2Ω.cm之间；外延片厚度分布为中心向边缘逐渐变厚，电阻率分布为中心向边...
张志勤陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟任丽翠米姣
提高外延片片内电阻率均匀性的方法
本发明公开了一种提高外延片片内电阻率均匀性的方法，涉及硅衬底外延层的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：利用高纯度的氯化氢气体在高温下对外延炉基座进行腐蚀；向外延炉基座片坑内装入硅衬底片，外延炉升温过程中利用高纯度的...
贾松张绪刚陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟侯志义张志勤吴会旺周晓龙
文献传递
硅外延设备用喷淋装置
本实用新型公开了一种硅外延设备用喷淋装置，属于半导体外延材料制备领域，包括石英钟罩、钟罩上盖和喷淋器，所述钟罩上盖位于所述喷淋器的上方，所述石英钟罩位于所述喷淋器的下方，穿过所述钟罩上盖的连接杆的下端与固定于所述喷淋器上...
李志强陈秉克赵丽霞袁肇耿王刚张志勤
文献传递
基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法
本发明公开了一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置；将处理后的所述外延片在纯水...
张佳磊薛宏伟张志勤王铁刚
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重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备被引量：3
2020年
超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原子耗尽层,有效减少了重掺As硅衬底的自掺效应。同时应用低温外延技术、无HCl抛光技术,研制出超高阻薄层硅外延片,外延层电阻率为1093Ω·cm,外延层厚度为12.06μm,满足外延层厚度(12±1)μm、外延层电阻率大于1000Ω·cm的设计要求,片内电阻率不均匀性为4.36%,片内厚度不均匀性为0.5%。外延片已用于批量生产。
薛宏伟米姣袁肇耿袁肇耿张志勤
关键词：硅外延片超高阻
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共2页<12>
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