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陈智斌

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 22篇氮化铝
  • 20篇氮化
  • 19篇氮化镓
  • 17篇溅射
  • 17篇磁控
  • 17篇磁控溅射
  • 13篇石墨
  • 13篇石墨烯
  • 12篇过渡层
  • 10篇氮化镓薄膜
  • 8篇氮化铝薄膜
  • 6篇金属有机物
  • 5篇氮化镓材料
  • 5篇蓝宝
  • 5篇蓝宝石
  • 4篇淀积
  • 2篇氮化硼
  • 2篇多量子阱
  • 2篇硫化
  • 2篇硫化钼

机构

  • 24篇西安电子科技...

作者

  • 24篇陈智斌
  • 22篇张进成
  • 22篇郝跃
  • 16篇宁静
  • 10篇许晟瑞
  • 10篇林志宇
  • 10篇庞凯
  • 6篇张金风
  • 6篇王东
  • 4篇张弛
  • 4篇马佩军
  • 4篇张金

年份

  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 10篇2018
  • 8篇2016
  • 1篇2014
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明涉及一种在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)在铜衬底上通过金属有机物化学气相淀积MOCVD生长石墨烯；(2)在覆盖石墨烯层的铜衬底上采用磁控溅射生长一层氮化铝薄膜；(3)将得到的...
张进成陈智斌吕佳骐郝跃
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基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的硅基氮化镓生长方法
本发明涉及一种基于石墨烯和磁控溅射氮化铝的硅基氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)通过铜衬底上石墨烯的转移技术，将单层石墨烯转移到硅衬底上；(2)在覆盖石墨烯层的硅衬底上采用磁控溅射生长一层氮化铝薄膜；(3)热处理...
张进成陈智斌吕佳骐郝跃
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基于磁控溅射AlN和石墨烯过渡层的GaN生长研究
GaN基半导体材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、抗辐照能力强、带隙大范围可调等优势，因此是研制短波长高效率发光二极管与激光二极管、高频高功率晶体管的理想技术之一。由于氮化镓本征衬底获得困难，成本...
陈智斌
关键词：氮化镓氮化铝石墨烯
在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明涉及一种在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)在铜衬底上通过金属有机物化学气相淀积MOCVD生长石墨烯；(2)在覆盖石墨烯层的铜衬底上采用磁控溅射生长一层氮化铝薄膜；(3)将得到的...
张进成陈智斌吕佳骐郝跃
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基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长六方氮化硼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比...
张进成庞凯陈智斌吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金郝跃
基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长二硫化钼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化...
张进成庞凯陈智斌吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
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基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(...
张进成朱家铎陈智斌庞凯吕佳骐许晟瑞林志宇宁静张金郝跃
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基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法
本发明涉及一种基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)在α面的蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜；(2)通过金属衬底上石墨烯的转移技术，将石墨烯转移到磁控溅射氮化铝薄膜上；(3)对覆盖石墨烯的基板进行...
张进成许新鹏陈智斌宁静王东郝跃
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基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)脉冲激光淀积生长二硒化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低...
张进成吕佳骐陈智斌庞凯朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
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基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备二硫化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化...
张进成陈智斌庞凯吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
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