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何清源

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇导通
  • 4篇栅结构
  • 4篇碳化硅
  • 3篇导通电阻
  • 3篇电阻
  • 3篇短路
  • 2篇闩锁
  • 2篇闩锁效应
  • 2篇抗短路
  • 2篇抗短路能力
  • 2篇沟槽
  • 2篇半导体
  • 2篇饱和电流
  • 2篇比导通电阻
  • 2篇SOI_LD...
  • 2篇MOS器件
  • 2篇槽栅
  • 1篇导通压降
  • 1篇电场
  • 1篇电力

机构

  • 7篇电子科技大学

作者

  • 7篇何清源
  • 6篇罗小蓉
  • 4篇方健
  • 3篇张科
  • 2篇周坤
  • 2篇尹超
  • 2篇魏杰
  • 2篇葛薇薇
  • 1篇张凯

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件。本发明具有以下几个特点：一、具有三个分离的栅结构，包括一个平面栅和两个沟槽栅，在开态时，三栅结构可以形成包括横向和纵向在内的多个沟道，增大...
罗小蓉吕孟山尹超魏杰谭桥周坤葛薇薇何清源
文献传递
4H-SiC超结槽型MOSFET新型结构研究
SiC材料具有高临界击穿电场，高热导率以及高饱和电子漂移速度等特点，使其在高温、高压、高频领域能够发挥比Si材料更加优异的作用。作为下一代功率开关器件的理想候选者，SiC MOSFET由于材料优势，兼具高耐压和低比导通电...
何清源
关键词：导通电阻短路特性
文献传递
一种碳化硅沟槽MOS器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅沟槽MOS器件。本发明主要特征在于：采用T字形槽栅结构，辅助耗尽漂移区，提高漂移区浓度，减小导通电阻，同时提高击穿电压；采用P型埋层作为缓冲层，降低饱和电流，提高抗短路能力...
罗小蓉何清源廖天张科方健杨霏
文献传递
一种集成肖特基二极管的碳化硅槽栅MOS器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成肖特基二极管的碳化硅槽栅MOS器件。传统碳化硅MOS器件的体二极管由于导通压降大，且为双极器件，因而在反向恢复时的损耗较大。本发明在碳化硅槽栅MOS的槽栅之间集成了一个肖特基...
罗小蓉张科何清源廖天樊雕方健杨霏
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一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件。本发明具有以下几个特点：一、具有三个分离的栅结构，包括一个平面栅和两个沟槽栅，在开态时，三栅结构可以形成包括横向和纵向在内的多个沟道，增大...
罗小蓉吕孟山尹超魏杰谭桥周坤葛薇薇何清源
一种碳化硅VDMOS器件
本发明属于功率半导体技术，涉及一种碳化硅VDMOS器件。该器件采用方形原胞结构，相较于传统的方形原胞，本结构的特点在于在四个最邻近原胞共同的JFET区十字交叉中心形成P型注入区。P型注入区可有效地吸收来自漏端的电力线，缓...
罗小蓉何清源张凯方健杨霏
文献传递
一种碳化硅沟槽MOS器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅沟槽MOS器件。本发明主要特征在于：采用T字形槽栅结构，辅助耗尽漂移区，提高漂移区浓度，减小导通电阻，同时提高击穿电压；采用P型埋层作为缓冲层，降低饱和电流，提高抗短路能力...
罗小蓉何清源廖天张科方健杨霏
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