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吴卫华

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：同济大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 3篇一般工业技术

主题

  • 9篇溅射
  • 7篇磁控
  • 7篇磁控溅射
  • 6篇相变存储
  • 6篇相变存储器
  • 6篇存储器
  • 4篇化学组成
  • 4篇灰尘颗粒
  • 4篇SB
  • 3篇晶态
  • 3篇溅射靶材
  • 3篇靶材
  • 2篇单质
  • 2篇低功耗
  • 2篇堆叠
  • 2篇射频溅射
  • 2篇数据保持
  • 2篇体积
  • 2篇体积变化
  • 2篇气流

机构

  • 13篇同济大学

作者

  • 13篇翟继卫
  • 13篇吴卫华

年份

  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用
本发明涉及一种纳米复合多层相变薄膜及其制备方法和应用，该相变薄膜为Ge<Sub>50</Sub>Te<Sub>50</Sub>相变材料和Ge<Sub>8</Sub>Sb<Sub>92</Sub>相变材料呈周期溅射得到的膜...
翟继卫吴卫华陈施谕
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一种掺氧GeSb纳米相变薄膜及其制备方法和应用
本发明涉及一种掺氧GeSb纳米相变薄膜及其制备方法和应用，该相变薄膜的化学组成符合化学通式GSOx，其中GS为Ge<Sub>8</Sub>Sb<Sub>92</Sub>，x代表氧气流量值，其单位为sccm，其中x＝1、2...
翟继卫吴卫华何子芳陈施谕
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一种Ti‑Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明涉及一种Ti‑Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用，该薄膜材料为钛锑(Ti‑Sb)二元材料，组分通式为Ti<Sub>x</Sub>Sb<Sub>1‑x</Sub>，0&lt;x&lt;1，采用清洗SiO<Sub>...
翟继卫吴卫华陈施谕
一种掺氧GeSb纳米相变薄膜及其制备方法和应用
本发明涉及一种掺氧GeSb纳米相变薄膜及其制备方法和应用，该相变薄膜的化学组成符合化学通式GSOx，其中GS为Ge<Sub>8</Sub>Sb<Sub>92</Sub>，x代表氧气流量值，其单位为sccm，其中x＝1、2...
翟继卫吴卫华何子芳陈施谕
高速低功耗Ti-Ge-Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用
本发明涉及高速低功耗Ti‑Ge‑Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用，该薄膜为掺金属元素Ti的Ge<Sub>8</Sub>Sb<Sub>92</Sub>纳米相变薄膜，其化学组成符合化学通式Ti<Sub>x</Sub>(Ge...
翟继卫吴卫华
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一种类超晶格锡硒/锑纳米相变薄膜及其制备与应用
本发明涉及一种类超晶格锡硒/锑纳米相变薄膜，该相变薄膜包括SnSe<Sub>2</Sub>材料和单质Sb材料，两种材料通过交替叠加形成类超晶格结构，所述相变薄膜的结构通式为[SnSe<Sub>2</Sub>(a)/Sb(...
翟继卫吴卫华何子芳陈施谕
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一种锑锗多层纳米复合相变材料及其制备和应用
本发明涉及一种锑锗多层纳米复合相变材料及其制备和应用，该复合相变材料为Sb薄膜和Ge薄膜交替排列成多层薄膜结构，Sb薄膜的厚度为1‑3nm，Ge薄膜的厚度为0.5‑3.5nm，采用磁控溅射法，在SiO<Sub>2</Su...
翟继卫陈施谕吴卫华
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纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用
本发明涉及纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用，由Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>薄膜和ZnSb薄膜交替排列成堆叠薄膜单元，所述的Ge<Sub>2</Sub>Sb<S...
翟继卫何子芳吴卫华
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一种Ti-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明涉及一种Ti‑Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用，该薄膜材料为钛锑(Ti‑Sb)二元材料，组分通式为Ti<Sub>x</Sub>Sb<Sub>1‑x</Sub>，0&lt;x&lt;1，采用清洗SiO<Sub>...
翟继卫吴卫华陈施谕
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高速低功耗Ti‑Ge‑Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用
本发明涉及高速低功耗Ti‑Ge‑Sb纳米复合相变薄膜及其制备和应用，该薄膜为掺金属元素Ti的Ge<Sub>8</Sub>Sb<Sub>92</Sub>纳米相变薄膜，其化学组成符合化学通式Ti<Sub>x</Sub>(Ge...
翟继卫吴卫华
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