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赵圣哲

作品数：109 被引量：0H指数：0
供职机构：北大方正集团有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 109篇中文专利

领域

  • 11篇电子电信

主题

  • 42篇氧化层
  • 35篇VDMOS器...
  • 31篇源区
  • 31篇刻蚀
  • 28篇栅氧化
  • 27篇外延层
  • 26篇栅氧化层
  • 23篇多晶
  • 18篇光刻
  • 17篇二极管
  • 15篇击穿电压
  • 14篇成体
  • 13篇场效应
  • 12篇耐压性
  • 12篇介质层
  • 10篇掩膜
  • 10篇功率器件
  • 10篇恒流
  • 10篇恒流二极管
  • 10篇VDMOS

机构

  • 109篇北大方正集团...
  • 109篇微电子有限公...

作者

  • 109篇赵圣哲

年份

  • 7篇2020
  • 20篇2019
  • 6篇2018
  • 35篇2017
  • 27篇2016
  • 14篇2015
共 109 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
恒流二极管及其制造方法
本发明提供了一种恒流二极管及其制造方法，该恒流二极管包括：衬底层；位于所述衬底层上的外延层；位于所述外延层中并与所述外延层背向所述衬底层的表面相贴的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所...
赵圣哲
VDMOS器件的制作方法
本发明提供了一种VDMOS器件的制作方法，包括：依次制作器件的JFET区、环区和体区；在器件表面，通过涂覆光刻胶以定义源区位置，并进行第一次源区离子注入和驱入，形成两个第一源区，两个第一源区位于同一个体区内；去除光刻胶，...
赵圣哲
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一种刻蚀方法
本发明公开了一种刻蚀方法，包括：用于对用来制造沟槽VDMOS器件的第一半成品进行加工，所述第一半成品包括有第一衬底，以及在所述第一衬底上形成的外延层，在所述外延层中至少形成有第一体区，在所述第一体区中至少形成有第一源区及...
赵圣哲
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VDMOS器件的制作方法
本发明提供一种VDMOS器件的制作方法，包括：在半导体基底上自下而上依次形成N层阻挡层，第M层的阻挡层的宽度小于下方相邻的第M‑1层的阻挡层的宽度，其中N为大于或等于2的正整数，M大于或等于2且小于或等于N；在各阻挡层上...
赵圣哲马万里
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平面VDMOS器件的制造方法
本发明涉及一种平面VDMOS器件的制造方法，包括：在外延层的表面上生成栅氧层；在栅氧层的表面上依次生成多晶硅层和光刻胶层，对光刻胶层和多晶硅层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口；通过体区注入窗口对外延层进行第一离子的注入和...
赵圣哲
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平面型VDMOS器件制作方法
本发明提供一种平面型VDMOS器件制作方法，包括：提供衬底，衬底表面上依次形成有栅氧化层，多晶硅层和第一氮化硅层；去除预设的第一区域以外的栅氧化层，多晶硅层和第一氮化硅层，保留位于第一区域内的栅氧化层，多晶硅层和第一氮化...
赵圣哲
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VDMOS功率器件的制备方法及VDMOS功率器件
本发明提供了一种VDMOS功率器件的制备方法和一种VDMOS功率器件，其中，所述制备方法包括：在形成有外延层的衬底上依次生长栅氧层和多晶栅极，并对所述多晶栅极进行氧化处理，以形成氧化层；在所述氧化层上生成一层氮化硅层，以...
赵圣哲
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一种衬底上的外延片及其制作方法
本发明公开了一种衬底上的外延片及其制作方法，通过在衬底上生成第一氧化硅层；对第一氧化硅层进行刻蚀，沿第一氧化硅层被刻蚀的区域横向外延生长外延种子层，使硅衬底上大量的缺陷以及晶格位错得到横向拉伸，由此生长的外延种子层的位错...
赵圣哲
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终端结构制造方法
本发明提供一种终端结构制造方法，包括：在外延层表面上形成多个环形阻挡层；进行第一次离子注入并驱入，形成第一漂移区、以及位于相邻第一漂移区之间的场限环；去除所述环形阻挡层；在器件表面形成光刻胶，去除位于预先定义的源区上方和...
赵圣哲马万里李理
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场效应管的制造方法
本发明提供一种场效应管的制造方法，包括：在初始氧化层的表面形成有源区和环区；在第一设定温度和第一设定含氧量的条件下，在所述初始氧化层、有源区和环区的表面形成沟槽掩膜；在所述有源区表面的沟槽掩膜上形成沟槽。本发明提供的场效...
赵圣哲马万里
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