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孟繁新

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：贵州民族大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 7篇晶体管
  • 7篇薄膜晶体
  • 7篇薄膜晶体管
  • 6篇氧化物
  • 4篇非晶
  • 2篇电极
  • 2篇氧分子
  • 2篇乙烯
  • 2篇乙烯醇
  • 2篇原子
  • 2篇原子量
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电氧化...
  • 2篇聚乙烯
  • 2篇聚乙烯醇
  • 2篇聚乙烯醇薄膜
  • 2篇沟道
  • 2篇分子
  • 2篇钾
  • 2篇铝

机构

  • 7篇贵州民族大学

作者

  • 7篇岳兰
  • 7篇孟繁新
  • 6篇任达森
  • 2篇罗胜耘

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种顶栅结构非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种顶栅结构非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法，由下至上依次为玻璃基底、沟道层、介质层、栅极，所述沟道层与介质层之间设置源电极和漏电极；所述沟道层为锌锡钛氧化物薄膜；所述介质层为有机聚...
岳兰孟繁新任达森罗胜耘
文献传递
一种柔性全透明非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及薄膜晶体管领域，提供了一种柔性全透明非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法，由基底、沟道层、介质层、栅(G)电极层、源/漏电极层组成，所述源/漏电极层是由两层透明导电氧化物(TCO)膜及夹在两层透明导电氧化物(TCO...
岳兰孟繁新任达森
文献传递
一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体是一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法。本发明以锌锡铝钾氧化物材料作为沟道层，以有机聚四乙烯苯酚(PVP)材料作为绝缘层，以铝作为源、漏、栅电极，在普通玻璃基底上制备了顶...
岳兰孟繁新任达森
一种顶栅结构非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种顶栅结构非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法，由下至上依次为玻璃基底、沟道层、介质层、栅极，所述沟道层与介质层之间设置源电极和漏电极；所述沟道层为锌锡钛氧化物薄膜；所述介质层为有机聚...
岳兰孟繁新任达森罗胜耘
一种柔性全透明非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及薄膜晶体管领域，提供了一种柔性全透明非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法，由基底、沟道层、介质层、栅(G)电极层、源/漏电极层组成，所述源/漏电极层是由两层透明导电氧化物(TCO)膜及夹在两层透明导电氧化物(TCO...
岳兰孟繁新任达森
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一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体是一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法。本发明以锌锡铝钾氧化物材料作为沟道层，以有机聚四乙烯苯酚(PVP)材料作为绝缘层，以铝作为源、漏、栅电极，在普通玻璃基底上制备了顶...
岳兰孟繁新任达森
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一种低温低成本的同质双半导体层薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体是一种低温低成本的同质双半导体层薄膜晶体管及其制备方法。本发明基于一块靶材在不同的氧分压环境下沉积形成双半导体层，以聚甲基丙烯酸甲酯材料作为绝缘层，以铝作为源、漏、栅电极，在普通玻璃基底...
施苏恒岳兰孟繁新
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