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于成浩

作品数:53 被引量:0H指数:0
供职机构:杭州电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 53篇中文专利

领域

  • 21篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 12篇晶体管
  • 11篇沟槽
  • 9篇场板
  • 8篇电极
  • 8篇势垒
  • 8篇沟道
  • 7篇单粒子
  • 7篇碳化硅
  • 6篇探测器
  • 6篇中子
  • 6篇中子探测
  • 6篇中子探测器
  • 6篇埋氧层
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇单粒子烧毁
  • 5篇电流
  • 5篇电学
  • 5篇电学特性
  • 5篇栅介质

机构

  • 53篇杭州电子科技...

作者

  • 53篇王颖
  • 53篇于成浩
  • 44篇曹菲
  • 6篇王艳福
  • 4篇刘彦娟
  • 2篇张文豪
  • 1篇郑梁
  • 1篇张飞
  • 1篇林茂

年份

  • 5篇2023
  • 9篇2022
  • 5篇2021
  • 12篇2020
  • 9篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2017
  • 7篇2016
53 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于双异质结HEMT的高增益X射线探测器
本发明公开一种基于双异质结HEMT的高增益X射线探测器。包括AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒缓冲层、衬底、Si3N4钝化层、栅极、源极和漏极;探测器结构中的沟道层与背势垒缓冲层界面在辐照过程中因空穴积累,...
王颖曹菲项智强于成浩
文献传递
一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管
本发明公开了一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管,P型埋层位于缓冲层中,所述第二势垒层和第二沟道层相接触形成二维电子气并与漏极相连,所述漏场板位于钝化层上并向栅极延伸,栅场板位于钝化层上并向漏极延伸。本发明提...
王颖费新星包梦恬于成浩
一种碳化硅微沟槽中子探测器结构
本发明公开了一种碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明采用多步外延加离子注入掺杂方法在N+衬底上形成交替的N柱区和P柱区,N柱区和P柱区构成的“超结”结构能够形成空间电荷区,能显著改善传统单一外延层电场的非均匀分布,可使整个...
于成浩王颖郭浩民包梦恬张立龙
一种碳化硅微沟槽中子探测器结构
本发明公开了一种碳化硅微沟槽中子探测器结构。本发明采用多步外延加离子注入掺杂方法在N+衬底上形成交替的N柱区和P柱区,N柱区和P柱区构成的“超结”结构能够形成空间电荷区,能显著改善传统单一外延层电场的非均匀分布,可使整个...
于成浩王颖郭浩民包梦恬张立龙
一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构
本发明公开了一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构,包括外延层,所述外延层第一主面设有有源区和栅极结构,所述有源区和栅极结构上设有栅极金属层;所述外延层第二主面设有衬底层,所述衬底层上设有漏极金属层;所述有源区与所述...
王颖于成浩曹菲包梦恬
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一种肖特基结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种肖特基结隧穿场效应晶体管,包括第一栅极、源区、漏区、沟道区、重掺杂pocket区、第一栅介质层、第二栅极和第二栅介质层;本发明在漏区利用金属或金属硅化物代替重掺杂的硅或者其他的半导体材料从而在漏区与沟道接...
王颖曹菲王艳福于成浩
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一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管,由栅极、源区、漏区、第一沟道区、第二沟道区、栅介质层、第一隔离层、第二隔离层以及埋氧层;其中,所述栅极与栅介质层位于沟道区之上位置,栅极两侧为隔离层。该新结构具有一个超薄的沟...
王颖曹菲王艳福于成浩
阶梯型微沟槽中子探测器及制备方法
本发明提出了一种阶梯型微沟槽中子探测器及制备方法,该结构首先通过刻蚀技术在半导体器件内部制作一个宽度较窄的沟槽,之后在深沟槽区域内进行第二次刻蚀制作一个宽度较宽的沟槽从而形成一个阶梯型微沟槽结构(可采用多次刻蚀形成多阶梯...
王颖于成浩李雅男郭浩民曹菲
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一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构
本发明公开了一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构。本发明通过外延方法在埋氧层2的界面生长一层薄的N<Sup>‑</Sup>扩展层,该N<Sup>‑</Sup>扩展层可吸取因辐照在埋氧层引入固定正电荷镜像产...
于成浩王颖郭浩民包梦恬张立龙
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一种4H-SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管
本发明提出了一种4H‑SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑电压阻挡层、N‑型缓冲层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+集电极区、沟槽栅极以及栅极氧化层等;本发明相对于传统结构,主要提出了在集电极将P+集电区深...
王颖毛鸿凯曹菲于成浩
文献传递
共6页<123456>
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