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董自明
作品数:
34
被引量:1
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
段宝兴
西安电子科技大学
杨银堂
西安电子科技大学
曹震
西安电子科技大学
吕建梅
西安电子科技大学
袁嵩
西安电子科技大学
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西安电子科技...
作者
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董自明
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杨银堂
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段宝兴
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曹震
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吕建梅
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袁嵩
年份
9篇
2021
3篇
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8篇
2019
10篇
2018
3篇
2017
1篇
2016
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一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明公开一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构中设置辅助耗尽衬底埋层于漏端下方,该埋层可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区,从而突破由于纵向耐压受限而带来的电压饱和现象,同时该埋层还能够利...
段宝兴
袁嵩
董自明
郭海君
杨银堂
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一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向双扩散晶体管
本发明公开一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区,同时该多环结构还能在表面横向电场和...
段宝兴
杨银堂
董自明
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一种栅控双极-场效应复合元素半导体基VDMOS
本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基VDMOS。该结构的衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料,基极与源极隔离,与栅极电连接,基极与栅极之间的连接材料为半导体材料,使得基极接入电压时基极电位大于栅极电位,栅...
段宝兴
董自明
杨银堂
文献传递
一种具有横纵向电场同时优化元素半导体横向超结双扩散晶体管
本发明公开一种具有横纵向电场同时优化元素半导体横向超结双扩散晶体管。该结构是在漏端的漂移区下方设置一个辅助耗尽衬底埋层,同时在漂移区下方、靠近辅助耗尽衬底埋层的衬底区域设置一个具有电荷补偿的衬底埋层。设置的辅助耗尽衬底埋...
段宝兴
董自明
杨银堂
文献传递
一种具有横纵向电场同时优化宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管
本发明公开一种具有横纵向电场同时优化宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管。该结构是在漏端的漂移区下方设置一个辅助耗尽衬底埋层,同时在漂移区下方、靠近辅助耗尽衬底埋层的衬底区域设置一个具有电荷补偿的衬底埋层。设置的辅助耗尽衬底...
段宝兴
董自明
杨银堂
文献传递
一种栅控双极-场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。该器件通过采用基区与栅极相连的电极连接方式,代替传统的氮化镓LDMOS中基区与源极短接的电极连接方式。工作在关态时,器件的耐压特性与传统的氮化镓...
段宝兴
董自明
智常乐
张一攀
杨银堂
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高K介质沟槽横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种具有高K介质(High‑K Dielectric Pillar,HK)沟槽横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该器件主要是在器件的漏端形成深槽高K介质层,高K介质层的下端深...
段宝兴
曹震
王彦东
董自明
杨银堂
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一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向超结双扩散晶体管
本发明公开一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向超结双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区,同时该多环结构还能在表面横向电场...
段宝兴
董自明
杨银堂
文献传递
一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明提出了一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS),该LDMOS器件主要特点是在器件漏端的下方通过异质外延技术形成宽禁带半导体SiC埋层。通过将漏端下方体内的高电峰场引入SiC埋层中,利用S...
段宝兴
曹震
吕建梅
董自明
师通通
杨银堂
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一种栅控双极-场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管
本发明公开了一种栅控双极‑场效应复合元素半导体基垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管。该结构的衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料,基极与源极隔离,与栅极电连接,满足:栅极接入电压时,基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶...
段宝兴
董自明
杨银堂
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