邓高强
- 作品数：24 被引量：4H指数：1
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
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- 一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法
- 一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法，属于半导体发光器件技术领域。由(0001)面蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、氮极性GaN模板层、n‑GaN电子注入层、多量子阱有源层、极化诱导p型掺杂空穴注入层...
- 张源涛闫龙邓高强韩煦李鹏翀
- 一种低温负热膨胀金属导电材料及其制备方法
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- 李国兴张宝林张源涛董鑫吴国光邓高强王建立林翔
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- 一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法
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- 张源涛张立东邓高强左长财
- 一种氮极性GaN/InAlGaN异质结材料及其生长方法
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- 张源涛马皓天邓高强杨世旭
- 梯度铝镓氮缓冲层对氮化镓外延层性质的影响
- 2017年
- 采用金属有机物化学气相沉积系统在硅面碳化硅衬底的(0001)面上生长氮化铝缓冲层,并通过改变3层梯度铝镓氮(Al_xGa_(1-x)N:x=0.8,0.5,0.2)缓冲层的生长温度和氨气流量,制备出了高质量的氮化镓外延层。分别采用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和拉曼光谱对氮化镓外延层进行表征。实验结果表明,随着氮化镓外延层中张应力的降低,样品的晶体质量、表面形貌和光学质量都有显著提高。在最优的梯度铝镓氮缓冲层的生长条件下,氮化镓外延层中的应力值最小,氮化镓(0002)和(1012)面的摇摆曲线半峰宽分别为191 arcsec和243 arcsec,薄膜螺位错密度和刃位错密度分别为7×10~7cm^(-2)和3.1×108cm^(-2),样品表面粗糙度为0.381 nm。这说明梯度铝镓氮缓冲层可以改变氮化镓外延层的应力状态,显著提高氮化镓外延层的晶体质量。
- 李宝珠黄振邓高强董鑫张源涛张宝林杜国同
- 关键词：氮化镓晶体质量应力
- 一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法
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- 张源涛闫龙邓高强韩煦李鹏翀
- 文献传递
- 一种低温负热膨胀金属导电材料及其制备方法
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- 李国兴张宝林张源涛董鑫吴国光邓高强王建立林翔
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