2024年11月26日
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李正
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湘潭大学
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刘曼文
湘潭大学
张亚
湘潭大学
唐明华
湘潭大学
肖永光
湘潭大学
李刚
湘潭大学
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拉斜式柱状三维探测器
本实用新型公开了拉斜式柱状三维探测器,该探测器的探测单元呈斜四棱柱状,上下面为矩形,四个侧面中两对面形状相同,为两个矩形和两个平行四边形,探测单元包括探测器基体、氧化层a、倾斜的壳型电极、与壳型电极倾斜方向相同的中央收集...
李正
张亚
文献传递
二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列
本发明公开了一种二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列,包括上沟槽电极和下沟槽电极,上沟槽电极和下沟槽电极分别刻蚀在中间半导体基体表面;上沟槽电极内嵌有上中央电极,上中央电极和上沟槽电极间填充有上半导体基体;下沟...
李正
张亚
文献传递
大面积螺旋状圆柱形双面硅漂移探测器及其设计方法
本发明属于深空探测技术领域,公开了一种大面积螺旋状圆柱形双面硅漂移探测器及其设计方法,大面积螺旋状圆柱形双面硅漂移探测器设计方法包括以下步骤:确定硅漂移探测器前后表面的电势;拟采用数学变分法计算载流子在硅漂移探测器中漂移...
李正
刘曼文
文献传递
可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器
本发明公开了一种可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器,外围电极由第一直线部、第二直线部和弯曲部构成,第一直线部和第二直线部平行,第一直线部的端部和第二直线部的端部通过弯曲部封闭连接,长中心电极位于外围电极的中间,长中心...
李正
廖川
唐立鹏
张亚
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解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法
本发明公开了一种解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法,具体步骤为下层光刻胶的匀胶‑下层光刻胶的烘烤‑上层光刻胶的匀胶‑上层光刻胶的烘烤‑光刻胶曝光‑光刻胶显影‑等离子体清洗‑镀电极/薄膜‑光刻胶的剥离,采用较薄...
唐明华
王薇
刘玉林
李刚
李正
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一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器
新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器,有一六棱柱半导体基体,中央柱状电极位于沟槽电极正中,沟槽电极为六边形框中空电极,沟槽电极刻蚀成结构相同且结构上互为互补的两瓣;沟槽电极的一对平行边正中有斜纹状实体缝隙,新型六边形开阖...
李正
刘曼文
文献传递
互嵌壳型电极三维探测器
本实用新型公开了一种互嵌壳型电极三维探测器,互嵌壳型电极三维探测器单元包括矩形沟槽电极,矩形沟槽电极的下方刻蚀有六边形沟槽电极,六边形沟槽电极的截面为矩形沟槽电极的矩形截面切去对角线上的两个边角而形成的六边形,矩形沟槽电...
李正
张亚
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等间隙梯度递增同心圆式双面硅漂移探测器及其设计方法
本发明公开了一种等间隙梯度递增同心圆式双面硅漂移探测器及其设计方法,等间隙梯度递增同心圆式双面硅漂移探测器,包括硅基体,硅基体的上表面刻蚀有正面同心圆式圆形阴极环,硅基体的下表面刻蚀有反面同心圆式圆形阴极环,正面同心圆式...
李正
路顺茂
刘曼文
一种方形复合式壳型电极半导体探测器
一种方形复合式壳型电极半导体探测器,包括正面沟槽电极、反面沟槽电极和中央柱状电极,其中正面沟槽电极、反面沟槽电极和中央柱状电极由半导体基体通过刻蚀、扩散掺杂的方法制备形成,正面沟槽电极和反面沟槽电极环绕于中央柱状电极之外...
李正
刘曼文
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一种方型开阖式盒型电极半导体探测器
一种方形开阖式盒型电极半导体探测器,一、在半导体晶圆片正面激光刻蚀三维沟槽,沟槽之间留下硅片缝隙,在长好一定厚度的氧化保护层F的晶圆片D正面激光刻蚀厚度为d<Sub>top</Sub>的沟槽A,沟槽之间留有一定宽度的斜纹...
李正
刘曼文
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