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沈国策

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇单片
  • 4篇单片集成
  • 4篇电路
  • 4篇芯片
  • 4篇硅基
  • 4篇毫米波
  • 2篇单片集成电路
  • 2篇电网络
  • 2篇多通道
  • 2篇阵元
  • 2篇生长介质
  • 2篇数字芯片
  • 2篇天线
  • 2篇填充金属
  • 2篇贴片
  • 2篇贴片天线
  • 2篇气密性封装
  • 2篇组件
  • 2篇微波单片
  • 2篇微波单片集成

机构

  • 10篇中国电子科技...

作者

  • 10篇沈国策
  • 8篇周骏
  • 2篇孔月婵
  • 2篇郁元卫
  • 2篇吴立枢
  • 2篇吴暻
  • 2篇杨东升

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2018
  • 2篇2016
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种毫米波天线与硅基组件三维集成封装
本发明公开了一种基于毫米波天线与硅基多通道组件三维集成封装，包括顶层辐射的微带贴片天线阵列、带有TSV馈电结构的高电阻率硅基板、具有微波走线和数字走线的介质布线层、带有TSV三维垂直传输结构的围框以及带有TSV传输结构的...
沈国策周骏
文献传递
一种GaN-HEMT与Si-CMOS单片集成的方法
本发明公开了一种GaN‑HEMT与Si‑CMOS单片集成的方法，其步骤如下：清洗Si‑CMOS圆片和临时载片表面，并进行临时键合；将Si‑CMOS衬底进行减薄抛光；在Si‑CMOS背面刻蚀出互联通孔；通孔中生长介质层并刻...
戴家赟沈国策吴立枢孔月婵
文献传递
硅基多通道TR组件及设计方法
本发明是硅基多通道TR组件，结构包括具有信号传输、无源元件集成和芯片载体的多层硅基基板1，用于实现TR组件各类具体功能的微波单片集成电路和数字集成电路2，顶部用于密封和保护的高阻硅硅帽3；多层硅基基板至少包括三层金属布线...
周骏沈国策吴暻
文献传递
三维集成毫米波AiP相控阵阵元
本发明公开了一种三维集成毫米波AiP相控阵阵元，从顶层至底层依次为：毫米波微带贴片天线阵列层、天线馈电网络层、毫米波信号发射和接收电路层、毫米波信号三维垂直传输层、毫米波电路屏蔽层、功分网络和数字信号层以及底部BGA信号...
沈国策周骏师建行杨东升杨驾鹏
文献传递
硅基三维立体集成接收前端
本发明是三维立体接收前端，包括上层集成辐射单元的MEMS天线，中层具有微屏蔽结构的MEMS滤波器，下层实现接收通道功能及性能的硅基转接板；上、中、下三层通过TSV技术实现信号互连。本发明优点：1）采用MEMS加工工艺，可...
周骏郁元卫沈国策
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一种毫米波天线与硅基组件三维集成封装
本发明公开了一种基于毫米波天线与硅基多通道组件三维集成封装，包括顶层辐射的微带贴片天线阵列、带有TSV馈电结构的高电阻率硅基板、具有微波走线和数字走线的介质布线层、带有TSV三维垂直传输结构的围框以及带有TSV传输结构的...
沈国策周骏
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一种GaN-HEMT与Si-CMOS单片集成的方法
本发明公开了一种GaN‑HEMT与Si‑CMOS单片集成的方法，其步骤如下：清洗Si‑CMOS圆片和临时载片表面，并进行临时键合；将Si‑CMOS衬底进行减薄抛光；在Si‑CMOS背面刻蚀出互联通孔；通孔中生长介质层并刻...
戴家赟沈国策吴立枢孔月婵
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三维集成毫米波AiP相控阵阵元
本发明公开了一种三维集成毫米波AiP相控阵阵元，从顶层至底层依次为：毫米波微带贴片天线阵列层、天线馈电网络层、毫米波信号发射和接收电路层、毫米波信号三维垂直传输层、毫米波电路屏蔽层、功分网络和数字信号层以及底部BGA信号...
沈国策周骏师建行杨东升杨驾鹏
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硅基多通道TR组件及设计方法
本发明是硅基多通道TR组件，结构包括具有信号传输、无源元件集成和芯片载体的多层硅基基板1，用于实现TR组件各类具体功能的微波单片集成电路和数字集成电路2，顶部用于密封和保护的高阻硅硅帽3；多层硅基基板至少包括三层金属布线...
周骏沈国策吴暻
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硅基三维立体集成接收前端
本发明是三维立体接收前端，包括上层集成辐射单元的MEMS天线，中层具有微屏蔽结构的MEMS滤波器，下层实现接收通道功能及性能的硅基转接板；上、中、下三层通过TSV技术实现信号互连。本发明优点：1）采用MEMS加工工艺，可...
周骏郁元卫沈国策
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