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谢驰

作品数：70 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 69篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 24篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 36篇半导体
  • 27篇导电类型
  • 22篇电阻
  • 17篇导通
  • 15篇电流
  • 15篇掺杂
  • 13篇雪崩
  • 13篇漂移区
  • 12篇导通电阻
  • 12篇功率半导体
  • 12篇功率半导体器...
  • 12篇半导体器件
  • 12篇VDMOS器...
  • 11篇金属化
  • 10篇击穿电流
  • 10篇基区电阻
  • 9篇电感
  • 9篇电感负载
  • 9篇雪崩击穿
  • 8篇电场

机构

  • 70篇电子科技大学

作者

  • 70篇谢驰
  • 67篇李泽宏
  • 60篇任敏
  • 50篇张波
  • 30篇罗蕾
  • 18篇张金平
  • 18篇高巍
  • 10篇陈哲
  • 10篇李爽
  • 10篇曹晓峰
  • 10篇陈文梅
  • 8篇苏志恒
  • 4篇李家驹
  • 2篇程琳
  • 2篇刘影
  • 2篇张有润
  • 2篇张玉蒙
  • 2篇何文静

年份

  • 1篇2021
  • 11篇2020
  • 12篇2019
  • 7篇2018
  • 31篇2017
  • 8篇2016
共 70 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种变禁带宽度的超结VDMOS器件
本发明提供一种变禁带宽度的超结VDMOS器件，包括金属化漏电极、第一导电类型半导体掺杂衬底、第一导电类型掺杂区、第二导电类型半导体掺杂柱区、多晶硅栅电极、栅介质层、金属化源电极；本发明在常规超结VDMOS器件的第二导电类...
李泽宏罗蕾谢驰李佳驹张金平任敏高巍张波
文献传递
一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件
本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种屏蔽栅VDMOS器件。本发明提供一种提高雪崩耐量的屏蔽栅VDMOS器件，在现有屏蔽栅VDMOS器件中，通过改变屏蔽栅VDMOS器件槽栅旁第一导电类型半导体掺杂漂移区的掺杂浓...
任敏罗蕾林育赐李佳驹谢驰李泽宏张波
文献传递
基于模数转换过流保护电路的电机控制器
基于模数转换过流保护电路的电机控制器，属于电子电路技术。电压采样模块采样电机工作电流，过流保护模块中的计时器在第一时间节点和第二时间节点分别输出第一使能信号ena和第二使能信号enb控制模数转换器ADC将电压采样模块的输...
李泽宏李沂蒙吴玉舟谢驰
文献传递
具有过流保护功能的电机控制器
具有过流保护功能的电机控制器，属于电子电路技术领域。包括电压采样模块、过流保护模块、驱动模块和电子继电器模块；其中电压采样模块采样电机的工作电流，过流保护模块中第一比较器CMP1比较电压采样模块的输出电压V1和第一参考电...
李泽宏李沂蒙吴玉舟谢驰
一种提高抗单粒子烧毁能力的槽栅MOS器件
一种应用于半导体领域的提高抗单粒子烧毁能力的槽栅MOS器件，该器件在外延层(3)中设置与源极(10)相连的第二导电类型半导体柱(11)和第二导电类型的电流引导区(13)，藉此改变单粒子效应诱发的电子空穴对径迹，避免发生寄...
任敏林育赐谢驰苏志恒李泽宏张金平高巍张波
文献传递
一种T型槽栅MOSFET
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种T型槽栅MOSFET。本发明引入了T型栅结构，使得器件的输入电容提高，T型栅下方的厚氧化层同时降低了器件的Cgd，从而Cgs/Cgd比值提高，器件具有更高的抗漏极电压震荡对栅极影...
李泽宏陈哲曹晓峰李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
文献传递
一种超结DMOS器件
本发明提供一种超结DMOS器件，通过在超结结构的第二导电类型掺杂柱区侧面做介质层结构来固定超结DMOS器件的雪崩击穿点，同时降低超结结构第二导电类型掺杂柱区顶部的掺杂浓度，使第二导电类型半导体体区附近的电场降低。最终使得...
任敏罗蕾李佳驹谢驰林育赐李泽宏张波
文献传递
一种改善关断特性的栅控晶闸管器件
本发明提供一种改善关断特性的栅控晶闸管器件，从下到上依次层叠金属化阳极、第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体外延层、金属化阴极；还包括第一导电类型半导体阱区、第二导电类型半导体阱区、重掺杂第一导电类型半导体区、栅极...
任敏林育赐苏志恒谢驰李泽宏张波
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具有高抗浪涌能力的TRENCH DMOS设计
功率MOSFET在电子电力系统中扮演着极其重要的角色,随着各种新结构的提出,功率MOSFET的性能日益提高,而TRENCH DMOS因其导通电阻低、工艺难度适中,成为中低压功率MOSFET领域的热门研究对象。功率MOSF...
谢驰
关键词：功率MOSFET导通电阻
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一种限定雪崩击穿点的屏蔽栅VDMOS器件
本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种屏蔽栅VDMOS器件。本发明提供一种限定雪崩击穿点的屏蔽栅VDMOS器件，在现有屏蔽栅VDMOS器件，通过采用不同的槽栅介质材料，在不同介质材料的交界处产生电场尖峰，使电场...
任敏罗蕾林育赐李佳驹谢驰李泽宏张波
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