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李睿

作品数：20 被引量：8H指数：1
供职机构：福州大学更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
相关领域：矿业工程电气工程建筑科学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇矿业工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇建筑科学

主题

  • 10篇电路
  • 5篇源极
  • 5篇逻辑运算
  • 3篇电机
  • 3篇电偶
  • 3篇异或门
  • 3篇能效
  • 3篇热电
  • 3篇热电发电
  • 3篇热电发电机
  • 3篇热电偶
  • 3篇芯片
  • 3篇漏极
  • 3篇逻辑电路
  • 3篇空间结构
  • 3篇或非门
  • 3篇发电
  • 3篇发电机
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体工艺

机构

  • 20篇福州大学
  • 1篇紫金矿业集团...

作者

  • 20篇李睿
  • 14篇魏榕山
  • 5篇张鑫刚
  • 3篇于静
  • 3篇林汉超
  • 2篇张丽萍
  • 2篇马英强
  • 2篇林杰
  • 2篇陈为
  • 2篇印万忠
  • 2篇王珏
  • 2篇胡惠文
  • 2篇郭仕忠
  • 1篇于岩

传媒

  • 2篇金属矿山

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 10篇2016
  • 1篇2011
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
采用微热电发电机的3D芯片
本实用新型涉及一种采用微热电发电机的3D芯片，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、中间...
魏榕山于静李睿钟美庆
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一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路
本实用新型涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路，包括忆阻器阻值控制模块、忆阻器、系统电路；所述忆阻器阻值控制模块包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4，所述...
魏榕山李睿林汉超张鑫刚
文献传递
一种磁心材料磁滞回线测量方法
本发明涉及一种磁心材料磁滞回线测量方法，该方法提供一种磁心材料磁滞回线测量装置，并按如下方法测量磁心材料磁滞回线：1）计算去磁所需的初始电压或初始频率，然后对被测磁件进行去磁；2）去磁结束后，使直流源装置对RLC振荡电路...
张丽萍陈为李睿廖泽明林杰
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一种基于忆阻器的模数转换电路及转换方法
本发明涉及一种基于忆阻器的模数转换电路及转换方法，利用忆阻器随电流规律变化的特点，采用电压脉冲Vp产生稳定电流改变忆阻器阻值，电流源读出每次脉冲后忆阻器阻值的变化量；同时，结合比较器读出每个输出模拟信号需要的电压脉冲次数...
魏榕山李睿张鑫刚
文献传递
一种基于忆阻器的模数转换电路
本实用新型涉及一种基于忆阻器的模数转换电路，利用忆阻器随电流规律变化的特点，采用电压脉冲Vp产生稳定电流改变忆阻器阻值，电流源读出每次脉冲后忆阻器阻值的变化量；同时，结合比较器读出每个输出模拟信号需要的电压脉冲次数，对电...
魏榕山李睿张鑫刚
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一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路及其实现方法
本发明涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路，包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2，第一忆阻器M1的负端作为第一输入端V1与第一PMOS管P1的源极连接，第二忆阻器M2的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源...
魏榕山李睿王珏
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采用微热电发电机的3D芯片及其实现方法
本发明涉及一种采用微热电发电机的3D芯片及其实现方法，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶...
魏榕山李睿胡惠文钟美庆
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设有圈梁构造柱的砖混结构体外预应力体系抗震加固研究
李睿
关键词：砖混结构滞回特性
一种实现与非、或非门逻辑的忆阻器电路及其实现方法
本发明涉及一种实现与非、或非门逻辑的忆阻器电路，包括忆阻器M1与忆阻器M2；忆阻器M1的正端与NMOS管N1的漏极、NMOS管N2的源极连接，M1的负端与NMOS管N5的源极、NMOS管N6的漏极连接，N1的源极与N5的...
魏榕山李睿郭仕忠
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一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法
本发明涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法。通过忆阻器（Memristor）与MOS管结合使用，使编程电压能够产生改变忆阻器阻值的稳定电流，发挥忆阻器阻值可变及非易失特性，达到可编程的效果...
魏榕山李睿林汉超张鑫刚
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