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常龙

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇磷化铟
  • 2篇圆片
  • 2篇砷化镓
  • 2篇子层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇减薄
  • 2篇干法刻蚀
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结晶体管
  • 1篇湿法
  • 1篇金属
  • 1篇晶体管
  • 1篇发射极
  • 1篇发射区
  • 1篇干湿法

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇程伟
  • 3篇王元
  • 3篇常龙
  • 1篇牛斌

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法
本发明为磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法，是一种磷化铟异质结晶体管蘑菇型发射极制作方法：使用干法刻蚀侧蚀量较大的金属制作下层发射极金属薄膜；使用干法刻蚀侧蚀量较小的金属制作上层发射极金属薄膜；光刻形成发...
牛斌王元程伟常龙谢俊领
文献传递
一种磷化铟背孔的制作方法
本发明是一种磷化铟背孔的制作方法，包括：（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；（2）将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；（3）在圆片背面光刻制作背孔图形，并且保证...
常龙程伟王元
文献传递
一种磷化铟背孔的制作方法
本发明是一种磷化铟背孔的制作方法，包括：（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；（2）将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；（3）在圆片背面光刻制作背孔图形，并且保证...
常龙程伟王元
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