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周晓梁

作品数:25 被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学深圳研究生院更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 25篇中文专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 17篇晶体管
  • 11篇薄膜晶体
  • 11篇薄膜晶体管
  • 10篇栅电极
  • 7篇显示面板
  • 7篇面板
  • 7篇光电
  • 6篇半导体
  • 5篇双栅
  • 5篇光电探测
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇氧化物
  • 4篇沟道
  • 4篇光刻
  • 3篇等离子体处理
  • 3篇电极
  • 3篇掩模
  • 3篇掩模板

机构

  • 25篇北京大学
  • 3篇昆山龙腾光电...

作者

  • 25篇周晓梁
  • 22篇张盛东
  • 10篇廖聪维
  • 5篇邵阳
  • 4篇王鹏飞
  • 3篇王漪
  • 2篇肖祥
  • 2篇张乐陶
  • 2篇卢慧玲

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 6篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法
本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法,包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层,其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料;其中,形成所述顶栅电极的操...
张盛东周晓梁卢红娟梁婷张晓东
包含遮光层的薄膜晶体管及其制备方法
本申请公开了一种薄膜晶体管,包括衬底;形成在所述衬底上的经图形化的遮光层,其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料;形成在所述遮光层以上的有源层,所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区;形成在所述有源层上的栅介质层和形成...
张盛东梁婷周晓梁卢慧玲张晓东王刚
文献传递
阵列基板及制作方法、显示面板
一种阵列基板及制作方法、显示面板,该制作方法包括:在基底上形成扫描线和栅极;在基底上形成覆盖扫描线和栅极的第一绝缘层;在第一绝缘层的上方形成金属氧化物半导体层;金属氧化物半导体层包括源极、漏极以及有源层;在金属氧化物半导...
张盛东周晓梁廖聪维林清平杨欢邹忠飞钟德镇
文献传递
底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
本申请涉及一种底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法,该方法包括在衬底上依次堆叠形成底栅电极、底栅介质层、氧化物半导体有源层、沟道保护层以及钝化层和在所述钝化层开口中引出的源、漏电极,所述有源层经图形化形成有源区,所述沟...
张盛东周晓梁邵阳王漪梁婷
双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法
一种双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法,包括第一栅极和第二栅极,分别使得第一栅极和第二栅极作为场效应管结构的底栅和顶栅,并将底栅和顶栅分别设置为MOSFET结构和MESFET结构,由于结合了MOSFET结构和MES...
刘发扬陆磊张盛东王云萍周晓梁
文献传递
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。该方法包括如下步骤:在衬底上依次制备导电薄膜和金属层A,然后经图形化得到栅极;采用阳极氧化的方法在栅极上生长绝缘介质层,覆盖栅极作为栅介质层;采用溶液法在栅介质层上生长金属氧化...
张盛东邵阳周晓梁张乐陶卢慧玲
文献传递
显示面板的屏内传感器件结构及显示装置
一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置,包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层,第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成,也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在...
陆磊张盛东王鹏飞王云萍廖聪维周晓梁
光电传感器、像素电路、图像传感器及光电感测方法
本申请提供了一种光电传感器,包括光敏单元,配置为在曝光阶段接收入射光并产生光生电流,其具有光记忆功能,即入射光撤除后仍然在所述光敏单元内保持光生电流;以及存储单元,耦合到所述光敏单元,配置为在积分阶段将所述光生电流转化为...
张盛东廖聪维周晓梁彭志超梁键安军军
文献传递
制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法
本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法,包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层,其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料;其中,形成所述顶栅电极的操...
张盛东周晓梁卢红娟梁婷张晓东
文献传递
光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法
本申请提供了一种光电探测晶体管,包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极;其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料,在所述有源层中包括沟道和源漏区域,并且所述光电探测晶体管的顶栅电极采...
张盛东周晓梁廖聪维范昌辉林清平严建花李建桦
共3页<123>
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