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周晓梁

作品数:25 被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学深圳研究生院更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 25篇中文专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 17篇晶体管
  • 11篇薄膜晶体
  • 11篇薄膜晶体管
  • 10篇栅电极
  • 7篇显示面板
  • 7篇面板
  • 7篇光电
  • 6篇半导体
  • 5篇双栅
  • 5篇光电探测
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇氧化物
  • 4篇沟道
  • 4篇光刻
  • 3篇等离子体处理
  • 3篇电极
  • 3篇掩模
  • 3篇掩模板

机构

  • 25篇北京大学
  • 3篇昆山龙腾光电...

作者

  • 25篇周晓梁
  • 22篇张盛东
  • 10篇廖聪维
  • 5篇邵阳
  • 4篇王鹏飞
  • 3篇王漪
  • 2篇肖祥
  • 2篇张乐陶
  • 2篇卢慧玲

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 6篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。该方法包括如下步骤:在衬底上依次制备导电薄膜和金属层A,然后经图形化得到栅极;采用阳极氧化的方法在栅极上生长绝缘介质层,覆盖栅极作为栅介质层;采用溶液法在栅介质层上生长金属氧化...
张盛东邵阳周晓梁张乐陶卢慧玲
文献传递
显示面板的屏内传感器件结构及显示装置
一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置,包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层,第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成,也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在...
陆磊张盛东王鹏飞王云萍廖聪维周晓梁
光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法
本申请提供了一种光电探测晶体管,包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极;其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料,在所述有源层中包括沟道和源漏电极,并且所述光电探测晶体管的顶栅电极采...
张盛东周晓梁廖聪维范昌辉林清平严建花李建桦
文献传递
光电传感器、像素电路、图像传感器和电子设备
本实用新型提供了一种光电传感器,包括光敏单元,配置为在曝光阶段接收入射光并产生光生电流,其具有光记忆功能,即入射光撤除后仍然在所述光敏单元内保持光生电流;以及存储单元,耦合到所述光敏单元,配置为在积分阶段将所述光生电流转...
张盛东廖聪维周晓梁彭志超梁键安军军
文献传递
金属氧化物薄膜晶体管制备的方法
本申请公开了一种薄膜晶体管的制备方法,包括在衬底上形成有源层并对其进行图形化形成有源区;在所述有源区和所述衬底上形成栅介质层;在所述栅介质层上形成栅电极层并对其图形化形成栅电极;以所述栅电极为掩模进行准分子激光退火从而在...
张盛东常宝柱陶金敖张羽晴王刚周晓梁
文献传递
一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法
一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法,其方法中通过在两种半导体有源层之间形成中间结构层材料,中间结构层材料一方面使得阻挡两种半导体有源层之间的金属元素的扩散,另一方面中间结构层材料的能带对于电子具有较低的势垒,使得...
王鹏飞陆磊王云萍杨欢周晓梁张盛东
光电探测晶体管及其制造方法及相应的光电探测方法
本申请提供了一种光电探测晶体管,包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极;其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料,在所述有源层中包括沟道和源漏区域,并且所述光电探测晶体管的顶栅电极采...
张盛东周晓梁廖聪维范昌辉林清平严建花李建桦
一种光电探测晶体管
本申请提供了一种光电探测晶体管包括衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层和顶栅电极;有源层包括有光记忆功能的半导体材料以及沟道和源漏区域,顶栅电极为透明导电材料;源漏区域是通过对相应区域的有源层进行等离子体处理获...
张盛东周晓梁廖聪维范昌辉林清平严建花李建桦
阵列基板及制作方法、显示面板
一种阵列基板及制作方法、显示面板,该制作方法包括:在基底上形成扫描线和栅极,扫描线具有交叠部,交叠部的宽度小于或等于两倍的光刻胶缩进量,栅极的宽度大于两倍的光刻胶缩进量;在基底上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上方形成有源层...
张盛东周晓梁廖聪维林清平杨欢邹忠飞钟德镇
文献传递
一种自对准薄膜晶体管及其制备方法
发明公开了一种自对准薄膜晶体管及其制备方法,包括以下步骤:将淀积了有源层、栅介质和栅电极的衬底置于电解液中,其中栅介质覆盖有源层的一部分,栅电极至少覆盖栅介质的一部分,对暴露在电解液中的有源层通过电解水的方法进行掺氢处理...
张盛东邵阳肖祥周晓梁
文献传递
共3页<123>
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